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龍圖騰網獲悉廈門大學申請的專利一種WTe₂電極單分子測試芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116124838B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310107993.1，技術領域涉及：G01N27/00；該發明授權一種WTe₂電極單分子測試芯片及其制備方法是由洪文晶;林榮健;劉俊揚;盧至行;鄭玨婷設計研發完成，并于2023-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種WTe₂電極單分子測試芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種WTe2電極單分子測試芯片及其制備方法，包括以下步驟：對所述電極圖案進行磁控濺射鍍金屬鎢，使金屬鎢覆蓋所述電極圖案形成金屬鎢薄膜，洗去光刻膠，得到與所述電極圖案相對應的金屬鎢電極；將所述金屬鎢電極進行高溫熱氧化生成電極圖案化的氧化鎢，加入碲粉，在載氣和還原氣體的作用下對所述電極圖案化的氧化鎢進行高溫碲化生成電極圖案化的1T'?WTe2；中間位置進行切削形成對尖結構，得到1T'?WTe2電極；使所述對尖結構懸空，得到電極圖案化的1T'?WTe2電極單分子芯片。

本發明授權一種WTe₂電極單分子測試芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種WTe2電極單分子測試芯片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟： 以雙面拋光的鉬片作為基底，超聲清洗后烘干； 在鉬片的上表面通過等離子體增強化學氣相沉積生長氧化硅層； 在所述氧化硅層的上表面旋涂光刻膠并烘干； 對所述光刻膠進行掩膜光刻、顯影，從而在所述光刻膠顯影出與掩膜模版相對應的電極圖案，所述掩膜模版包括左右對稱設置的導電外接電路區域模版，以及連接于所述導電外接電路區域之間的導線模版； 對所述電極圖案進行磁控濺射鍍金屬鎢，使金屬鎢覆蓋所述電極圖案形成金屬鎢薄膜，洗去光刻膠，得到與所述電極圖案相對應的金屬鎢電極； 將所述金屬鎢電極進行高溫熱氧化生成電極圖案化的氧化鎢，加入碲粉，在載氣和還原氣體的作用下所述電極圖案化的氧化鎢進行高溫碲化生成電極圖案化的1T'-WTe2； 利用FIB對所述電極圖案化的1T'-WTe2對應所述導線模版的中間位置進行切削形成對尖結構，得到1T'-WTe2電極； 通過濕法腐蝕所述對尖結構附近的氧化硅層，使所述對尖結構懸空，得到電極圖案化的1T'-WTe2電極單分子芯片； SiH4和O2作為反應氣體進行等離子體增強化學氣相沉積生長氧化硅層，和或，所述氧化硅層的厚度為1-3um； 所述光刻膠采用正性光刻膠； 所述對所述光刻膠進行掩膜光刻、顯影包括： 對所述正性光刻膠根據所述掩膜模版進行第一次紫外曝光，光解反應產生羧酸； 高溫下使所述羧酸促進所述正性光刻膠中第一次紫外曝光的區域的樹脂發生交聯反應，使所述正性光刻膠中紫外曝光的區域不可溶于堿性顯影液中； 取下所述掩膜模版進行第二次紫外曝光，未第一次紫外曝光的區域產生羧酸，顯影后溶于堿性顯影液中得到與所述掩膜模版相同的圖形；兩次紫外曝光得到倒梯形的膠形貌進行光刻。

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