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龍圖騰網獲悉株洲火炬安泰新材料有限公司申請的專利一種LaSm共摻雜ITO靶材及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117142848B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311141927.2，技術領域涉及：C04B35/457；該發明授權一種LaSm共摻雜ITO靶材及其制備方法與應用是由唐安泰;唐智勇;程波設計研發完成，并于2023-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種LaSm共摻雜ITO靶材及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種LaSm共摻雜ITO靶材及其制備方法與應用，屬于ITO靶材技術領域，將納米ITO粉末、納米LaSmBO32粉末和乙酸溶液球磨混合成漿料，在模具中，480±5MPa和400?420℃保溫保壓60?80min，自然冷卻，得到坯體后在氧氣氛圍下，1350?1400℃燒結3?3.5h，制備出LaSm共摻雜ITO靶材；燒結溫度小于常用的1550℃，避免晶粒和密度過大，防止對濺鍍后薄膜的透光率產生影響；納米LaSmBO32粉末的添加有助于增減濺鍍膜的透光率；LaSm共摻雜ITO靶材的濺鍍膜ITO膜作為太陽能電池硅片的減反膜，可以降低電池的內阻，從而提高太陽能電池的輸出功率。

本發明授權一種LaSm共摻雜ITO靶材及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種LaSm共摻雜ITO靶材的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟一：將六水合硝酸鑭、六水合硝酸釤、甘氨酸、硼酸和去離子水加入反應釜中，200-500rmin攪拌30-60min，得到混合液后裝入坩堝并轉移至馬弗爐中，按照3-5℃min的速率升溫至800-850℃并保溫3-4h，自然冷卻，球磨粉碎，過篩，得到納米LaSm（BO3）2粉末； 步驟二：將納米ITO粉末、納米LaSm（BO3）2粉末和60wt%的乙酸溶液球磨混合，調節固含量為65-70wt%，得到漿料后轉移至模具中，在480±5MPa的壓力下，按照10℃min的速率升溫至400-420℃并保溫保壓60-80min，自然冷卻，得到坯體；所述納米ITO粉末和納米LaSm（BO3）2粉末的用量比為113.74g：13.76-18.18g；所述納米LaSm（BO3）2粉末的顆粒直徑為30-40nm； 步驟三：將坯體轉移至燒結爐中，在氧氣氛圍下，按照2-5℃min的速率升溫至1350-1400℃并保溫3-3.5h，然后按照10℃min的速率降溫至350-400℃，自然冷卻，得到LaSm共摻雜ITO靶材。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株洲火炬安泰新材料有限公司，其通訊地址為：412000 湖南省株洲市天元區湘蕓路2586號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。