普瑞(無錫)研發有限公司王鋒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉普瑞(無錫)研發有限公司申請的專利一種氮化鎵發光二極管結構獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223261876U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422366615.8,技術領域涉及:H10H20/816;該實用新型一種氮化鎵發光二極管結構是由王鋒;張秀敏;陳曉冰;劉林;杜高云;黃慧詩設計研發完成,并于2024-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化鎵發光二極管結構在說明書摘要公布了:本實用新型屬于半導體技術領域,尤其涉及一種氮化鎵發光二極管結構,襯底,緩沖層設置于所述襯底的表面,第一半導體層設置于所述緩沖層表面,所述第一半導體層設置有臺階,所述臺階平面上設置有第一電流阻擋層,第一電極與所述第一半導體層電性連接,并設置在所述第一電流阻擋層的表面;活性層設置于第一半導體層表面,第二半導體層設置于活性層表面,第二電流阻擋層設置于所述第二半導體層的表面,所述第二電流阻擋層包括第一電流阻擋結構和第二電流阻擋結構,所述第二電流阻擋結構間隔設置在所述第一電流阻擋的兩側或靠近第一電極的一側,導電層設置于所述第二半導體層以及第二電流阻擋層的表面。本實用新型能夠改善發光二極管發光的均勻性。
本實用新型一種氮化鎵發光二極管結構在權利要求書中公布了:1.一種氮化鎵發光二極管結構,其特征在于,包括: 襯底(1); 緩沖層(2),設置于所述襯底(1)的表面; 第一半導體層(3),設置于所述緩沖層(2)表面,所述第一半導體層(3)設置有臺階(31),所述臺階(31)平面上設置有第一電流阻擋層(4); 第一電極(5),與所述第一半導體層(3)電性連接,并設置在所述第一電流阻擋層(4)的表面; 活性層(6),設置于第一半導體層(3)表面; 第二半導體層(7),設置于活性層(6)表面; 第二電流阻擋層(8),設置于所述第二半導體層(7)的表面,所述第二電流阻擋層(8)包括第一電流阻擋結構(81)和第二電流阻擋結構(82),所述第二電流阻擋結構(82)間隔設置在所述第一電流阻擋結構(81)的兩側或靠近第一電極(5)的一側; 導電層(10),設置于所述第二半導體層(7)以及第二電流阻擋層(8)的表面; 第二電極(9),與所述第二半導體層(7)電性連接; 反射鏡層(11),設置于所述襯底(1)背離所述緩沖層(2)的一面; 絕緣層(12),設置于所述導電層(10)、臺階(31)、第一電極(5)、第二電極(9)的表面。
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