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龍圖騰網獲悉成都鴻辰光子半導體科技有限公司申請的專利一種高內量子效率的光電芯片結構及其設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119381892B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411419073.4，技術領域涉及：H01S5/34；該發明授權一種高內量子效率的光電芯片結構及其設計方法是由王保雄;王越;馬輝;劉奇;趙若陽設計研發完成，并于2024-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高內量子效率的光電芯片結構及其設計方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高內量子效率的光電芯片結構及其設計方法，設計半導體芯片技術領域；本方案在量子壘層厚度和電子阻擋層厚度保持恒定情形下，對部分或全部量子壘層中替換插入第一替換層，在電子阻擋層中替換插入第二替換層；以提高了量子壘能帶勢壘高度，同時降低了空穴有效勢壘高度，大大提高有源區的輻射復合效率，從而有效提高AlGaN深紫光電芯片結構的內量子效率和發光效率；方案還通過參數組合模型中，集合按照單位調整量調整動態參數，組合出多個動態參數組集合，只對動態參數組集合進行模擬仿真和計算，從而確定出最優動態參數組，得到高內量子效率的光電芯片結構；避免了對大量參數的模擬仿真和計算，提升高內量子效率的光電芯片結構的生產效率。

本發明授權一種高內量子效率的光電芯片結構及其設計方法在權利要求書中公布了：1.一種高內量子效率的光電芯片結構，其特征在于，包括：依次疊加設置在襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱有源層、電子阻擋層和P型層； 所述多量子阱有源層由n個材料和厚度相同的量子壘層，與n-1個材料和厚度相同的量子阱層交錯疊加形成； 在量子壘層厚度保持恒定情形下，部分或全部量子壘層中替換插入第一替換層； 在電子阻擋層厚度保持恒定情形下，在電子阻擋層中替換插入第二替換層； 第二替換層替換插入電子阻擋層中的位置為第二替換層分別在電子阻擋層的上方和下方對稱替換插入； 所述第一替換層替換插入在量子壘層的中間位置，第一替換層的中心與量子壘層的中心重疊； 所述電子阻擋層為厚度100nm的AlxGa1-xN層；x為電子阻擋層中Al的摩爾分數；0.2＜x＜0.8； 所述第二替換層包括一級替換層和二級替換層；所述一級替換層為Alx1Ga（1-x1）N層；所述二級替換層為Alx2Ga（1-x2）N層；其中x1為一級替換層中Al的摩爾分數；x2為二級替換層中Al的摩爾分數；x＞x1＞x2； 兩個完全相同的一級替換層分別替換插入在電子阻擋層的上方和下方；兩個完全相同的二級替換層分別替換插入在兩個一級替換層的表面位置。

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