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								      本公開提供一種顯示裝置。顯示裝置包括顯示面板、背光模塊以及時(shí)序控制器。背光模塊提供光線至顯示面板。背光模塊具有多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域各包括多個(gè)發(fā)光元件。背光模塊包括背光驅(qū)動(dòng)器。背光驅(qū)動(dòng)器包括第一控制器及寄存器。時(shí)序控制器提供判斷信號(hào)至第一控...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種語音喚醒方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。該方法應(yīng)用于服務(wù)器端，該方法包括當(dāng)用戶說出語音喚醒詞后，接收M個(gè)電子設(shè)備上報(bào)的空間位置信息，所述M個(gè)電子設(shè)備是所述語音喚醒詞可喚醒的電子設(shè)備；基于所述空間位置信息，從所述M個(gè)電子設(shè)備中確定出N個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供了一種音頻處理方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。其中方法包括獲取待處理音頻，對(duì)所述待處理音頻進(jìn)行分段處理，得到多個(gè)音頻段；將所述多個(gè)音頻段輸入至預(yù)先訓(xùn)練的音頻分類模型中，得到所述待處理音頻的全局分類信息和/或所述音頻段的局部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，公開了存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該方法包括：在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證階段，為與第一存儲(chǔ)單元耦接的位線提供第一位線電壓；所述第一存儲(chǔ)單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態(tài)的存儲(chǔ)單元，所述第一編程循環(huán)為需要對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法，其中測(cè)試方法包括：提供測(cè)試結(jié)構(gòu)，測(cè)試結(jié)構(gòu)包括待測(cè)晶圓，待測(cè)晶圓包括非功能區(qū)，非功能區(qū)內(nèi)具有的若干待測(cè)存儲(chǔ)單元，各待測(cè)存儲(chǔ)單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點(diǎn)和第二鎖存點(diǎn)；進(jìn)行若干次寫入操作，各次寫入操作用以實(shí)現(xiàn)第一鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，提供一種DRAM測(cè)試方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法對(duì)DRAM的可訪問地址區(qū)域完成測(cè)試后，響應(yīng)于接收的重啟指令，重啟DRAM測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)DRAM的不可訪問地址區(qū)域的地址信息進(jìn)行重分配；讀取重分配之后的不可訪問地址區(qū)域...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的自測(cè)系統(tǒng)以及方法，由從機(jī)通過SDA以及SCL端口接收由外部主機(jī)發(fā)送的I2C指令并進(jìn)行解碼，再由BIST模塊基于解碼信息以數(shù)據(jù)?補(bǔ)碼形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信息，并生成模式控制信息與數(shù)據(jù)地址信息發(fā)送MTP模塊依次執(zhí)行擦除操作...
								
            
							
            
							
						
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								      一種核酸序列數(shù)據(jù)庫(kù)自動(dòng)化建立系統(tǒng)及其方法，該系統(tǒng)包括一文字探勘模塊，配置用以從一文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)中搜尋與一目標(biāo)物種與一檢索條件相關(guān)的文獻(xiàn)，該相關(guān)文獻(xiàn)必須同時(shí)出現(xiàn)該目標(biāo)物種與該檢索條件；將搜尋到的該相關(guān)文獻(xiàn)中出現(xiàn)的多個(gè)特定核酸序列與該目標(biāo)物種的核酸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種復(fù)方阿膠漿薄層色譜指紋圖譜的構(gòu)建和組合評(píng)價(jià)分析方法，屬于中藥質(zhì)量控制技術(shù)領(lǐng)域。所述的復(fù)方阿膠漿薄層色譜為復(fù)方阿膠漿或工藝制備過程中中間體的薄層色譜指紋圖譜；薄層色譜指紋圖譜的構(gòu)建基于薄層色譜樣品條帶圖像的顏色和斑點(diǎn)灰度大小，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種問診單的派發(fā)方法和裝置，涉及互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：響應(yīng)于接收到問診單派發(fā)請(qǐng)求，采集對(duì)應(yīng)統(tǒng)計(jì)時(shí)間段內(nèi)的派單日志，對(duì)所述派單日志進(jìn)行解析，得到待派發(fā)問診單；根據(jù)所述待派發(fā)問診單和預(yù)設(shè)的派發(fā)邏輯，采用流式...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種醫(yī)患信息處理方法、醫(yī)患信息處理裝置、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備，其中，醫(yī)患信息處理方法包括：獲取原始醫(yī)患信息集以及與所述原始醫(yī)患信息集中包含的每條原始醫(yī)患信息相關(guān)聯(lián)的特性描述信息；按照預(yù)設(shè)的信息過濾規(guī)則...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電磁波電位模塊，包括PCB板和搖桿機(jī)構(gòu)，所述PCB板上設(shè)有電磁波接收線圈，所述搖桿機(jī)構(gòu)上設(shè)有與電磁波接收線圈配合的電磁波發(fā)射線圈。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明利用電磁波原理，通過電磁波接收線圈感應(yīng)磁通量的大小來反應(yīng)搖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電磁波電位裝置，包括PCB板和搖桿機(jī)構(gòu)，所述PCB板上設(shè)有電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈，所述搖桿機(jī)構(gòu)上設(shè)有電磁波屏蔽部，電磁波屏蔽部位于電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈之間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明利用電磁波原理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)、集成電路、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝襯底；第一球柵陣列，第一球柵陣列位于封裝襯底的第一表面，第一球柵陣列包括第一金屬球及與第一金屬球相鄰的第二金屬球，第一金屬球通過第一焊盤電藕合到...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有防滲透層的散熱系統(tǒng)及電子設(shè)備，該散熱系統(tǒng)包括基板、殼體和至少一層的防滲透層。基板上設(shè)置有發(fā)熱元。殼體連接于基板，殼體與基板之間圍合成用于填充冷卻工質(zhì)的容置空間，發(fā)熱元件設(shè)置于容置空間中。防滲透層的至少部分覆蓋于基板上外漏于容置空間中...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝芯片。封裝芯片包括層疊設(shè)置的頂層和中介層。頂層包括第一有機(jī)層和間隔設(shè)置的至少三個(gè)頂層芯片，第一有機(jī)層包裹頂層芯片的周緣設(shè)置。中介層包括第二有機(jī)層和中介芯片，第二有機(jī)層包裹中介芯片的周緣設(shè)置，中介芯片包括至少一個(gè)第一中介芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電化學(xué)裝置和電子裝置，電化學(xué)裝置包括極片，極片包括集流體和位于集流體至少一個(gè)表面上的活性材料層，活性材料層的內(nèi)部設(shè)置有孔洞，孔洞與集流體的表面相連。通過上述設(shè)置，有利于電解液在極片中的浸潤(rùn)，避免負(fù)極發(fā)生析鋰，改善電化學(xué)裝置的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N二次電池和用電裝置。本申請(qǐng)的二次電池包括正極極片，正極極片包括正極集流體以及位于正極集流體至少一個(gè)表面上的活性材料層，活性材料層包括第一活性材料層和第二活性材料層，第一活性材料層位于正極集流體的表面，第二活性材料層位于第一活...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極材料及其制備方法、正極極片、二次電池、用電裝置，正極材料包括導(dǎo)電基體材料和分布于導(dǎo)電基體材料上的活性材料；活性材料包括納米級(jí)磷酸鹽類活性材料，導(dǎo)電基體材料包括摻雜元素改性石墨烯；基于正極材料的總重量計(jì)，活性材料的重量含量為...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及蠶絲織物衍生的雙金屬單原子修飾的片狀多孔碳材料及其制備方法和應(yīng)用。為了克服現(xiàn)有技術(shù)中鋰硫電池正極材料電化學(xué)性能差以及合成工藝復(fù)雜等缺點(diǎn)，本發(fā)明提供蠶絲織物衍生的雙金屬單原子修飾的片狀多孔碳材料，包括：多孔碳...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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