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          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極材料及其制備方法、正極極片、二次電池、用電裝置,正極材料包括導(dǎo)電基體材料和分布于導(dǎo)電基體材料上的活性材料;活性材料包括納米級(jí)磷酸鹽類活性材料,導(dǎo)電基體材料包括摻雜元素改性石墨烯;基于正極材料的總重量計(jì),活性材料的重量含量為...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N二次電池和用電裝置。本申請(qǐng)的二次電池包括正極極片,正極極片包括正極集流體以及位于正極集流體至少一個(gè)表面上的活性材料層,活性材料層包括第一活性材料層和第二活性材料層,第一活性材料層位于正極集流體的表面,第二活性材料層位于第一活...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電化學(xué)裝置和電子裝置,電化學(xué)裝置包括極片,極片包括集流體和位于集流體至少一個(gè)表面上的活性材料層,活性材料層的內(nèi)部設(shè)置有孔洞,孔洞與集流體的表面相連。通過(guò)上述設(shè)置,有利于電解液在極片中的浸潤(rùn),避免負(fù)極發(fā)生析鋰,改善電化學(xué)裝置的...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝芯片。封裝芯片包括層疊設(shè)置的頂層和中介層。頂層包括第一有機(jī)層和間隔設(shè)置的至少三個(gè)頂層芯片,第一有機(jī)層包裹頂層芯片的周緣設(shè)置。中介層包括第二有機(jī)層和中介芯片,第二有機(jī)層包裹中介芯片的周緣設(shè)置,中介芯片包括至少一個(gè)第一中介芯...
          • 一種具有防滲透層的散熱系統(tǒng)及電子設(shè)備,該散熱系統(tǒng)包括基板、殼體和至少一層的防滲透層。基板上設(shè)置有發(fā)熱元。殼體連接于基板,殼體與基板之間圍合成用于填充冷卻工質(zhì)的容置空間,發(fā)熱元件設(shè)置于容置空間中。防滲透層的至少部分覆蓋于基板上外漏于容置空間中...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)、集成電路、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述封裝結(jié)構(gòu)包括:封裝襯底;第一球柵陣列,第一球柵陣列位于封裝襯底的第一表面,第一球柵陣列包括第一金屬球及與第一金屬球相鄰的第二金屬球,第一金屬球通過(guò)第一焊盤電藕合到...
          • 本發(fā)明公開了一種電磁波電位裝置,包括PCB板和搖桿機(jī)構(gòu),所述PCB板上設(shè)有電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈,所述搖桿機(jī)構(gòu)上設(shè)有電磁波屏蔽部,電磁波屏蔽部位于電磁波發(fā)射線圈和電磁波接收線圈之間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是:本發(fā)明利用電磁波原理...
          • 本發(fā)明公開了一種電磁波電位模塊,包括PCB板和搖桿機(jī)構(gòu),所述PCB板上設(shè)有電磁波接收線圈,所述搖桿機(jī)構(gòu)上設(shè)有與電磁波接收線圈配合的電磁波發(fā)射線圈。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是:本發(fā)明利用電磁波原理,通過(guò)電磁波接收線圈感應(yīng)磁通量的大小來(lái)反應(yīng)搖...
          • 本公開涉及互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種醫(yī)患信息處理方法、醫(yī)患信息處理裝置、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備,其中,醫(yī)患信息處理方法包括:獲取原始醫(yī)患信息集以及與所述原始醫(yī)患信息集中包含的每條原始醫(yī)患信息相關(guān)聯(lián)的特性描述信息;按照預(yù)設(shè)的信息過(guò)濾規(guī)則...
          • 本發(fā)明公開了一種問(wèn)診單的派發(fā)方法和裝置,涉及互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括:響應(yīng)于接收到問(wèn)診單派發(fā)請(qǐng)求,采集對(duì)應(yīng)統(tǒng)計(jì)時(shí)間段內(nèi)的派單日志,對(duì)所述派單日志進(jìn)行解析,得到待派發(fā)問(wèn)診單;根據(jù)所述待派發(fā)問(wèn)診單和預(yù)設(shè)的派發(fā)邏輯,采用流式...
          • 本發(fā)明公開了一種復(fù)方阿膠漿薄層色譜指紋圖譜的構(gòu)建和組合評(píng)價(jià)分析方法,屬于中藥質(zhì)量控制技術(shù)領(lǐng)域。所述的復(fù)方阿膠漿薄層色譜為復(fù)方阿膠漿或工藝制備過(guò)程中中間體的薄層色譜指紋圖譜;薄層色譜指紋圖譜的構(gòu)建基于薄層色譜樣品條帶圖像的顏色和斑點(diǎn)灰度大小,...
          • 一種核酸序列數(shù)據(jù)庫(kù)自動(dòng)化建立系統(tǒng)及其方法,該系統(tǒng)包括一文字探勘模塊,配置用以從一文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)中搜尋與一目標(biāo)物種與一檢索條件相關(guān)的文獻(xiàn),該相關(guān)文獻(xiàn)必須同時(shí)出現(xiàn)該目標(biāo)物種與該檢索條件;將搜尋到的該相關(guān)文獻(xiàn)中出現(xiàn)的多個(gè)特定核酸序列與該目標(biāo)物種的核酸...
          • 本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的自測(cè)系統(tǒng)以及方法,由從機(jī)通過(guò)SDA以及SCL端口接收由外部主機(jī)發(fā)送的I2C指令并進(jìn)行解碼,再由BIST模塊基于解碼信息以數(shù)據(jù)?補(bǔ)碼形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信息,并生成模式控制信息與數(shù)據(jù)地址信息發(fā)送MTP模塊依次執(zhí)行擦除操作...
          • 本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,提供一種DRAM測(cè)試方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法對(duì)DRAM的可訪問(wèn)地址區(qū)域完成測(cè)試后,響應(yīng)于接收的重啟指令,重啟DRAM測(cè)試系統(tǒng),對(duì)DRAM的不可訪問(wèn)地址區(qū)域的地址信息進(jìn)行重分配;讀取重分配之后的不可訪問(wèn)地址區(qū)域...
          • 一種測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法,其中測(cè)試方法包括:提供測(cè)試結(jié)構(gòu),測(cè)試結(jié)構(gòu)包括待測(cè)晶圓,待測(cè)晶圓包括非功能區(qū),非功能區(qū)內(nèi)具有的若干待測(cè)存儲(chǔ)單元,各待測(cè)存儲(chǔ)單元包括互為反相且互鎖的第一鎖存點(diǎn)和第二鎖存點(diǎn);進(jìn)行若干次寫入操作,各次寫入操作用以實(shí)現(xiàn)第一鎖...
          • 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,公開了存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng),該方法包括:在第一編程循環(huán)的驗(yàn)證階段,為與第一存儲(chǔ)單元耦接的位線提供第一位線電壓;所述第一存儲(chǔ)單元為與選擇字線耦接且待編程至第一編程態(tài)的存儲(chǔ)單元,所述第一編程循環(huán)為需要對(duì)...
          • 本公開實(shí)施例提供了一種音頻處理方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。其中方法包括獲取待處理音頻,對(duì)所述待處理音頻進(jìn)行分段處理,得到多個(gè)音頻段;將所述多個(gè)音頻段輸入至預(yù)先訓(xùn)練的音頻分類模型中,得到所述待處理音頻的全局分類信息和/或所述音頻段的局部分...
          • 本申請(qǐng)涉及一種語(yǔ)音喚醒方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。該方法應(yīng)用于服務(wù)器端,該方法包括當(dāng)用戶說(shuō)出語(yǔ)音喚醒詞后,接收M個(gè)電子設(shè)備上報(bào)的空間位置信息,所述M個(gè)電子設(shè)備是所述語(yǔ)音喚醒詞可喚醒的電子設(shè)備;基于所述空間位置信息,從所述M個(gè)電子設(shè)備中確定出N個(gè)...
          • 本公開提供一種顯示裝置。顯示裝置包括顯示面板、背光模塊以及時(shí)序控制器。背光模塊提供光線至顯示面板。背光模塊具有多個(gè)區(qū)域,所述多個(gè)區(qū)域各包括多個(gè)發(fā)光元件。背光模塊包括背光驅(qū)動(dòng)器。背光驅(qū)動(dòng)器包括第一控制器及寄存器。時(shí)序控制器提供判斷信號(hào)至第一控...
          • 本發(fā)明提供一種顯示器及其制造方法,該顯示器包含有多個(gè)像素區(qū)塊以及控制器。該多個(gè)像素區(qū)塊的每一個(gè)像素區(qū)塊包含陣列排列且分別具有多個(gè)波長(zhǎng)參數(shù)的多個(gè)發(fā)光元件,且該多個(gè)像素區(qū)塊的其中一個(gè)像素區(qū)塊的該多個(gè)波長(zhǎng)參數(shù)的排列規(guī)則相同于該多個(gè)像素區(qū)塊的另一像...
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