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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明通過(guò)縮短用于傳遞加載電機(jī)的旋轉(zhuǎn)的路徑而減小了光盤驅(qū)動(dòng)器的尺寸。傳輸輥(20)在處于第一輥位置時(shí)與光盤接觸并朝主軸電機(jī)(11)的位置傳送光盤，在處于第二輥位置時(shí)不接觸光盤。滑塊(70)在位于第一操作構(gòu)件位置時(shí)將傳輸輥(20)置于第一輥位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種激光焊槍出光質(zhì)量的測(cè)量方法，涉及焊接設(shè)備領(lǐng)域，其中，測(cè)量方法包括：在激光焊槍的測(cè)試光束照射成像片的衰減成像區(qū)域生成光束成像時(shí)，利用相機(jī)拍攝成像片，獲得成像片圖像，其中，成像片還包括背景區(qū)域和參照物區(qū)域，參照物區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對(duì)選定位進(jìn)行編程擦除循環(huán)操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據(jù)循環(huán)次數(shù)進(jìn)行設(shè)置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補(bǔ)償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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								      柔性超級(jí)電容器長(zhǎng)期面臨電極與凝膠電解質(zhì)界面解離問(wèn)題。通過(guò)在凝膠電解質(zhì)上原位生長(zhǎng)電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發(fā)明成功開(kāi)發(fā)出一種緩慢反應(yīng)動(dòng)力學(xué)下的原位聚合策略：在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO)，實(shí)現(xiàn)苯...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)施方式提供一種能夠高速執(zhí)行壓縮的非易失性存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及非易失性存儲(chǔ)器的控制方法。根據(jù)本實(shí)施方式，非易失性存儲(chǔ)器具備存儲(chǔ)器芯片及指令處理部。在從控制器接收到用于壓縮的第1指令的情況下，指令處理部將從存儲(chǔ)器芯片的第1位置讀取的數(shù)據(jù)保存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關(guān)鍵技術(shù)，可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學(xué)性能。其主要內(nèi)容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑，以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的自測(cè)系統(tǒng)以及方法，由從機(jī)通過(guò)SDA以及SCL端口接收由外部主機(jī)發(fā)送的I2C指令并進(jìn)行解碼，再由BIST模塊基于解碼信息以數(shù)據(jù)?補(bǔ)碼形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信息，并生成模式控制信息與數(shù)據(jù)地址信息發(fā)送MTP模塊依次執(zhí)行擦除操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及工程降噪領(lǐng)域，具體了提供了一種低頻寬帶吸聲降噪模塊，包括從外至內(nèi)嵌套設(shè)置的最外側(cè)吸聲單元和內(nèi)部吸聲單元，最外側(cè)吸聲單元包括封閉底板、圍合于封閉底板周側(cè)的封閉側(cè)板一和位于封閉側(cè)板一遠(yuǎn)離封閉底板一端的穿孔板一；內(nèi)部吸聲單元位于封閉底板...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種線纜互連檢測(cè)方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域，本申請(qǐng)通過(guò)引入第一存儲(chǔ)模塊和第一開(kāi)關(guān)，并將第一存儲(chǔ)模塊通過(guò)第一開(kāi)關(guān)與待檢測(cè)接口連接，能夠在待檢測(cè)接口與對(duì)端設(shè)備的待檢測(cè)接口連接后，獲取對(duì)端設(shè)備的第二校驗(yàn)信息，進(jìn)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種光學(xué)變焦標(biāo)定治具，包括：治具外廓、光照燈、治具支架和治具本體；所述治具外廓為遮光板，用于安裝光照燈及隔絕環(huán)境光對(duì)標(biāo)定結(jié)果的影響；所述光照燈用于為標(biāo)定提供穩(wěn)定光源；所述治具支架為治具鋁型材框架，用于固定治具本體；所述治具本體的前端為固定產(chǎn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種火焰圖的生成方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：在目標(biāo)線程運(yùn)行時(shí)，對(duì)所述目標(biāo)線程在處理器上執(zhí)行時(shí)的時(shí)間信息進(jìn)行采樣，得到所述目標(biāo)線程對(duì)應(yīng)的第一時(shí)間占比信息；對(duì)所述目標(biāo)線程被調(diào)出所述處理器和調(diào)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的實(shí)施例公開(kāi)了數(shù)據(jù)導(dǎo)入裝置。該方法的一具體實(shí)施方式包括：數(shù)據(jù)導(dǎo)入裝置包括數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)導(dǎo)入裝置、數(shù)據(jù)上傳裝置和光盤存儲(chǔ)裝置。其中，數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)導(dǎo)入裝置包括第一控制裝置、第一人機(jī)交互屏幕、識(shí)別裝置、光驅(qū)處理裝置、第一電機(jī)、第一機(jī)械臂、第一機(jī)械臂限...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種測(cè)試單元、處理器、片上系統(tǒng)和測(cè)試方法，該測(cè)試單元包括：總線從接口、輸入緩沖器和控制器；所述總線從接口，用于接收總線主接口通過(guò)功能高速總線發(fā)送的掃描輸入數(shù)據(jù)，并將所述掃描輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到所述輸入緩沖器；所述控制器，用于從所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種鐵鈷雙金屬M(fèi)OF電極上電沉積鈷摻雜氫氧化鎳的納米陣列材料及其制備方法，包括：通過(guò)水熱法在泡沫鎳上生長(zhǎng)FeCo?MOF納米片陣列，并在其表面電沉積一層適量鈷摻雜的納米片狀α?Ni(OH)2晶體，成功制備了...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種耐低溫超級(jí)電容器及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的耐低溫超級(jí)電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼，電解液中的電解質(zhì)為有機(jī)磷化合物，電解液的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為?60℃～?30℃，室溫電導(dǎo)率≥1.0×10?
...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了一種位線讀出放大器和一種半導(dǎo)體裝置。該位線讀出放大器包括：P型讀出放大器，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測(cè)使能線；N型讀出放大器，其包括第一NMOS晶體管和第二...
								
            
							
            
							
						
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								      提供搭載了能夠?qū)CB配置于HDD的殼體側(cè)面的連接器的盤裝置。實(shí)施方式的盤裝置具有多個(gè)磁盤、構(gòu)成為使多個(gè)磁盤旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)、以及殼體。殼體具有安裝有主軸馬達(dá)的底壁、和與底壁一體成型的側(cè)壁。還具有安裝于側(cè)壁的第1基板、和安裝于第1基板并與外部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種分柵存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)的操作方法，該存儲(chǔ)器操作方式基于分柵型SONOS結(jié)構(gòu)，一個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)選擇管和兩個(gè)置于選擇管兩側(cè)的存儲(chǔ)管構(gòu)成，兩側(cè)存儲(chǔ)管柵極可以共接，作為一個(gè)存儲(chǔ)管使用，也可以兩個(gè)存儲(chǔ)管分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，增加存儲(chǔ)密度。寫入數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種非接觸式測(cè)量光學(xué)元件間隔的方法，具體涉及光學(xué)元件測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，包括步驟S01：非接觸式測(cè)量、步驟S02：原始光學(xué)元件間隔獲取、步驟S03：光學(xué)元件結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性數(shù)據(jù)采集、步驟S04：光學(xué)元件熱穩(wěn)定性數(shù)據(jù)處理、步驟S05：光學(xué)元件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種榫接式聲學(xué)超構(gòu)單元模塊、聲學(xué)超構(gòu)材料組件及其制備方法，榫接式聲學(xué)超構(gòu)單元模塊，包括插接凸臺(tái)和榫接端，插接凸臺(tái)底端和榫接端頂端相連，插接凸臺(tái)內(nèi)部和榫接端內(nèi)部連通構(gòu)成吸聲腔體，插接凸臺(tái)由前封板和側(cè)封板組成，側(cè)封板一端與前封板相連，...
								
            
							
            
							
						
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