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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了一種超級(jí)電容器及其制備方法，屬于超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有超級(jí)電容器在長期充放電存在的產(chǎn)氣和容量降低以及電阻增加的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種超級(jí)電容器，包括正極、負(fù)極和設(shè)于兩者之間的隔膜，正極為正極集流體和結(jié)合在所述正極集流體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種NORD閃存耐久性拖尾位的篩選方法，包括：步驟一、對選定位進(jìn)行編程擦除循環(huán)操作。各編程操作中，字線柵的第一編程電壓根據(jù)循環(huán)次數(shù)進(jìn)行設(shè)置，第一編程電壓為初始編程電壓加上第一偏移電壓，第一偏移電壓用以補(bǔ)償字線柵的第一閾值電壓的第...
								
            
							
            
							
						
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								      柔性超級(jí)電容器長期面臨電極與凝膠電解質(zhì)界面解離問題。通過在凝膠電解質(zhì)上原位生長電極材料形成一體化器件可有效解決此難題并提升性能。本發(fā)明成功開發(fā)出一種緩慢反應(yīng)動(dòng)力學(xué)下的原位聚合策略：在聚乙烯醇/海藻酸鈉基水凝膠中添加氧化石墨烯(GO)，實(shí)現(xiàn)苯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種耐低溫超級(jí)電容器及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的耐低溫超級(jí)電容器的組成包括電極、電解液、隔膜和封裝殼，電解液中的電解質(zhì)為有機(jī)磷化合物，電解液的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為?60℃～?30℃，室溫電導(dǎo)率≥1.0×10?
...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種位線讀出放大器和一種半導(dǎo)體裝置。該位線讀出放大器包括：P型讀出放大器，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管電連接到第一感測使能線；N型讀出放大器，其包括第一NMOS晶體管和第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種鐵鈷雙金屬M(fèi)OF電極上電沉積鈷摻雜氫氧化鎳的納米陣列材料及其制備方法，包括：通過水熱法在泡沫鎳上生長FeCo?MOF納米片陣列，并在其表面電沉積一層適量鈷摻雜的納米片狀α?Ni(OH)2晶體，成功制備了...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)施方式提供一種能夠高速執(zhí)行壓縮的非易失性存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及非易失性存儲(chǔ)器的控制方法。根據(jù)本實(shí)施方式，非易失性存儲(chǔ)器具備存儲(chǔ)器芯片及指令處理部。在從控制器接收到用于壓縮的第1指令的情況下，指令處理部將從存儲(chǔ)器芯片的第1位置讀取的數(shù)據(jù)保存...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關(guān)鍵技術(shù)，可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學(xué)性能。其主要內(nèi)容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑，以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的自測系統(tǒng)以及方法，由從機(jī)通過SDA以及SCL端口接收由外部主機(jī)發(fā)送的I2C指令并進(jìn)行解碼，再由BIST模塊基于解碼信息以數(shù)據(jù)?補(bǔ)碼形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信息，并生成模式控制信息與數(shù)據(jù)地址信息發(fā)送MTP模塊依次執(zhí)行擦除操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例提供了一種測試單元、處理器、片上系統(tǒng)和測試方法，該測試單元包括：總線從接口、輸入緩沖器和控制器；所述總線從接口，用于接收總線主接口通過功能高速總線發(fā)送的掃描輸入數(shù)據(jù)，并將所述掃描輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到所述輸入緩沖器；所述控制器，用于從所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種火焰圖的生成方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：在目標(biāo)線程運(yùn)行時(shí)，對所述目標(biāo)線程在處理器上執(zhí)行時(shí)的時(shí)間信息進(jìn)行采樣，得到所述目標(biāo)線程對應(yīng)的第一時(shí)間占比信息；對所述目標(biāo)線程被調(diào)出所述處理器和調(diào)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實(shí)施例公開了數(shù)據(jù)導(dǎo)入裝置。該方法的一具體實(shí)施方式包括：數(shù)據(jù)導(dǎo)入裝置包括數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)導(dǎo)入裝置、數(shù)據(jù)上傳裝置和光盤存儲(chǔ)裝置。其中，數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)導(dǎo)入裝置包括第一控制裝置、第一人機(jī)交互屏幕、識(shí)別裝置、光驅(qū)處理裝置、第一電機(jī)、第一機(jī)械臂、第一機(jī)械臂限...
								
            
							
            
							
						
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								      提供搭載了能夠?qū)CB配置于HDD的殼體側(cè)面的連接器的盤裝置。實(shí)施方式的盤裝置具有多個(gè)磁盤、構(gòu)成為使多個(gè)磁盤旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)、以及殼體。殼體具有安裝有主軸馬達(dá)的底壁、和與底壁一體成型的側(cè)壁。還具有安裝于側(cè)壁的第1基板、和安裝于第1基板并與外部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種分柵存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)的操作方法，該存儲(chǔ)器操作方式基于分柵型SONOS結(jié)構(gòu)，一個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)選擇管和兩個(gè)置于選擇管兩側(cè)的存儲(chǔ)管構(gòu)成，兩側(cè)存儲(chǔ)管柵極可以共接，作為一個(gè)存儲(chǔ)管使用，也可以兩個(gè)存儲(chǔ)管分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，增加存儲(chǔ)密度。寫入數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及噪聲控制領(lǐng)域，具體提供了一種復(fù)合寬頻降噪超結(jié)構(gòu)，包括中高頻降噪體和低頻寬帶降噪體；中高頻降噪體包括入射穿孔板和吸聲體二；低頻寬帶降噪體包括多個(gè)并聯(lián)設(shè)置的吸聲單元，吸聲單元包括頂部穿孔板、背部封閉板、側(cè)部封閉板和封閉隔板，吸聲單元的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元集，存儲(chǔ)單元集包括第一存儲(chǔ)單元組和第二存儲(chǔ)單元組，第一存儲(chǔ)單元組包括目標(biāo)態(tài)為第i態(tài)至第i+k態(tài)的存儲(chǔ)單元，第二存儲(chǔ)單元組包括目標(biāo)態(tài)為第i+k+1態(tài)至第i+j態(tài)的存儲(chǔ)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種非接觸式測量光學(xué)元件間隔的方法，具體涉及光學(xué)元件測量技術(shù)領(lǐng)域，包括步驟S01：非接觸式測量、步驟S02：原始光學(xué)元件間隔獲取、步驟S03：光學(xué)元件結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性數(shù)據(jù)采集、步驟S04：光學(xué)元件熱穩(wěn)定性數(shù)據(jù)處理、步驟S05：光學(xué)元件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種榫接式聲學(xué)超構(gòu)單元模塊、聲學(xué)超構(gòu)材料組件及其制備方法，榫接式聲學(xué)超構(gòu)單元模塊，包括插接凸臺(tái)和榫接端，插接凸臺(tái)底端和榫接端頂端相連，插接凸臺(tái)內(nèi)部和榫接端內(nèi)部連通構(gòu)成吸聲腔體，插接凸臺(tái)由前封板和側(cè)封板組成，側(cè)封板一端與前封板相連，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種存儲(chǔ)器的外圍電路和存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。外圍電路包括位線解碼器，位線解碼器包括多個(gè)選通單元。各選通單元包括與任一存儲(chǔ)單元的位線耦接的第一端、用于輸出選中的存儲(chǔ)單元的讀取信號(hào)的第二端、耦接于第一端和第二端之間且與存儲(chǔ)器...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種可匹配隧道傾角靈活調(diào)節(jié)的隧洞測量定位支架，涉及隧洞測量定位支架技術(shù)領(lǐng)域，包括主架，所述主架表面左側(cè)開設(shè)有通腔，所述通腔的內(nèi)表面轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置有活動(dòng)板，所述活動(dòng)板的表面貫穿螺紋連接有螺桿，所述螺桿的上端轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置有連接板，所述連接...
								
            
							
            
							
						
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