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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明專利公開了一種基于肌電信號與肌力信號的新型礦山救護(hù)隊員訓(xùn)練方案優(yōu)化系統(tǒng)及方法，其特征在于，測量礦山救護(hù)隊員常見實(shí)戰(zhàn)動作的肌電信號與肌力信號，并以此為依據(jù)對礦山救護(hù)隊員的訓(xùn)練方案進(jìn)行優(yōu)化推薦。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明專利采用了如下技術(shù)方案...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于腦機(jī)交互的盆底磁刺激訓(xùn)練系統(tǒng)，包括腦電采集模塊，腦電采集模塊采集的腦電信號輸入到腦電解碼算法模塊，腦電解碼算法模塊包括腦電評估單元和腦電訓(xùn)練單元；控制模塊接收來自腦電解碼算法模塊的信號或反應(yīng)評估模塊的信號后，生成控制信號...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種運(yùn)動檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，涉及運(yùn)動訓(xùn)練技術(shù)領(lǐng)域。上述方法包括：獲取被檢測對象的至少兩個檢測位置的肌電信號；調(diào)用運(yùn)動檢測模型，處理至少兩個檢測位置的肌電信號，得到至少兩個檢測位置的關(guān)節(jié)角度信息和肌力信息，其中，每個...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種智能導(dǎo)檢方法及裝置，其中，該方法包括：基于目標(biāo)用戶的待檢項目，確定所述目標(biāo)用戶的目標(biāo)導(dǎo)檢方案；響應(yīng)于所述目標(biāo)用戶基于所述目標(biāo)導(dǎo)檢方案開始體檢，獲取針對所述待檢項目的更新信息；其中，所述更新信息包括針對所述目標(biāo)體檢方案中待檢項...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了遠(yuǎn)程急救交互方法以及監(jiān)護(hù)終端，遠(yuǎn)程急救交互方法應(yīng)用于遠(yuǎn)程急救交互系統(tǒng)的監(jiān)護(hù)終端，系統(tǒng)還包括監(jiān)護(hù)裝置和監(jiān)測裝置，交互方法包括：檢測到監(jiān)護(hù)裝置的啟動按鍵被按下時，通過監(jiān)護(hù)終端的顯示界面提供第一對話框；第一對話框包括確認(rèn)進(jìn)入搶救觀察界...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器，涉及變壓器技術(shù)領(lǐng)域。該具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器包括：箱體，箱體上具有至少一個進(jìn)風(fēng)口和至少一個第一風(fēng)扇，第一風(fēng)扇對應(yīng)設(shè)置在進(jìn)風(fēng)口內(nèi)，第一風(fēng)扇用于抽取箱體的外部的空氣；變壓器本體，變壓器本體設(shè)置在箱體的內(nèi)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種變壓器油位補(bǔ)償冷卻器，屬于儲油柜技術(shù)領(lǐng)域。該變壓器油位補(bǔ)償冷卻器，包括下集油盒和上集油盒，所述上集油盒靠近變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有進(jìn)油管，所述下集油盒遠(yuǎn)離變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有出油管，所述下集油盒和上集油盒之間設(shè)置有波...
								
            
							
            
							
						
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								      一種積層陶瓷電容包含積層磚及第一與第二端電極。積層磚包含陶瓷體及第一與第二內(nèi)電極。陶瓷體具上下表面及相對的第一與第二端面。第一與第二內(nèi)電極交替嵌在陶瓷體中。第一內(nèi)電極自第一端面朝第二端面延伸。第二內(nèi)電極自第二端面朝第一端面延伸。第一與第二內(nèi)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于電化學(xué)儲能技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明與現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)方案不同，提出了一種三嗪高分子聚合物高性能材料制備方法。該方法具有步驟簡單，制作流程高效等優(yōu)點(diǎn)。所得三嗪高分子材料可以直接作為超級電容器的電極材料，能夠保持三嗪分子的穩(wěn)定性和其聚合而成的高分...
								
            
							
            
							
						
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								      一種利于滅弧的大開距框架斷路器或隔離開關(guān)，它包括機(jī)構(gòu)主軸，所述機(jī)構(gòu)主軸通過連桿機(jī)構(gòu)能夠帶動動觸頭繞其自身的轉(zhuǎn)動中心轉(zhuǎn)動，所述動觸頭轉(zhuǎn)動過程中與靜觸頭的接觸和分離控制斷路器或隔離開關(guān)的通斷，所述動觸頭上的動銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在所述動觸頭轉(zhuǎn)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開關(guān)滅弧室和觸頭系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括動觸頭和靜觸頭，所述動觸頭和靜觸頭布置在殼體內(nèi)位于滅弧室下方位置，所述動觸頭和靜觸頭分?jǐn)鄷r候產(chǎn)生的電弧能夠被引導(dǎo)進(jìn)入滅弧室被熄滅，所述動觸頭上的動銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開關(guān)用靜觸頭引弧角，所述靜觸頭引弧角a設(shè)置在滅弧柵片組一側(cè)端的外側(cè)方，所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接，另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側(cè)方，所述靜觸頭引弧角另一端的端點(diǎn)位于所述滅弧柵片組高度的3/5～4/5位置處?？?..
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設(shè)備和方法，雙腔體系統(tǒng)包括：第一腔體裝置，包括：包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器；第二腔體裝置，包括：包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器，其...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例公開了一種電子設(shè)備、電子器件及其制作方法，涉及金剛石技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有金剛石在半導(dǎo)體異質(zhì)材料成膜時生長界面的結(jié)合力差，導(dǎo)致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導(dǎo)體器件層。其中，緩沖層具有相對設(shè)置的第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種清潔方法及半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵，傳輸腔室的腔壁上設(shè)有出氣口及多個充氣口，出氣口和多個充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃；抽氣泵組的抽速低于高...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導(dǎo)體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體；在環(huán)形本體內(nèi)沿其周向環(huán)繞設(shè)置有環(huán)形負(fù)壓通道，環(huán)形負(fù)壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口；環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動，在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例公開了一種電子電路器件及電子設(shè)備。該電子電路器件包括本體結(jié)構(gòu)和接口焊點(diǎn)，該本體結(jié)構(gòu)包括有機(jī)材料，接口焊點(diǎn)與本體結(jié)構(gòu)電連接；在本體結(jié)構(gòu)的外周表面包覆有防潮層，防潮層包括無機(jī)膜層，且接口焊點(diǎn)外露于防潮層，以構(gòu)建相應(yīng)的電連接。如此設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物及封裝體，第一芯片與第一基板層疊設(shè)置，第一阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)于互連件的外表面，第一芯片與互連件之間通過連接物連接，第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物、第一芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，封裝結(jié)構(gòu)包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設(shè)于第一芯片的第一表面所在一側(cè)且與第一芯片電連接。第二布線層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實(shí)施例提供了一種基板、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和基板的制備方法，涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，基板包括層疊結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電芯、磁性件和導(dǎo)磁件。層疊結(jié)構(gòu)包括多層布線層和多層介質(zhì)層，布線層和介質(zhì)層交替層疊設(shè)置。導(dǎo)電芯嵌設(shè)在層疊結(jié)構(gòu)中，且貫穿至少一層介質(zhì)...
								
            
							
            
							
						
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