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          • 本發(fā)明公開了一種基于腦機(jī)交互的盆底磁刺激訓(xùn)練系統(tǒng),包括腦電采集模塊,腦電采集模塊采集的腦電信號輸入到腦電解碼算法模塊,腦電解碼算法模塊包括腦電評估單元和腦電訓(xùn)練單元;控制模塊接收來自腦電解碼算法模塊的信號或反應(yīng)評估模塊的信號后,生成控制信號...
          • 本公開提供一種運(yùn)動檢測方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì),涉及運(yùn)動訓(xùn)練技術(shù)領(lǐng)域。上述方法包括:獲取被檢測對象的至少兩個(gè)檢測位置的肌電信號;調(diào)用運(yùn)動檢測模型,處理至少兩個(gè)檢測位置的肌電信號,得到至少兩個(gè)檢測位置的關(guān)節(jié)角度信息和肌力信息,其中,每個(gè)...
          • 本公開提供了一種智能導(dǎo)檢方法及裝置,其中,該方法包括:基于目標(biāo)用戶的待檢項(xiàng)目,確定所述目標(biāo)用戶的目標(biāo)導(dǎo)檢方案;響應(yīng)于所述目標(biāo)用戶基于所述目標(biāo)導(dǎo)檢方案開始體檢,獲取針對所述待檢項(xiàng)目的更新信息;其中,所述更新信息包括針對所述目標(biāo)體檢方案中待檢項(xiàng)...
          • 本申請公開了遠(yuǎn)程急救交互方法以及監(jiān)護(hù)終端,遠(yuǎn)程急救交互方法應(yīng)用于遠(yuǎn)程急救交互系統(tǒng)的監(jiān)護(hù)終端,系統(tǒng)還包括監(jiān)護(hù)裝置和監(jiān)測裝置,交互方法包括:檢測到監(jiān)護(hù)裝置的啟動按鍵被按下時(shí),通過監(jiān)護(hù)終端的顯示界面提供第一對話框;第一對話框包括確認(rèn)進(jìn)入搶救觀察界...
          • 本發(fā)明提供一種具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器,涉及變壓器技術(shù)領(lǐng)域。該具有散熱結(jié)構(gòu)的箱式變壓器包括:箱體,箱體上具有至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口和至少一個(gè)第一風(fēng)扇,第一風(fēng)扇對應(yīng)設(shè)置在進(jìn)風(fēng)口內(nèi),第一風(fēng)扇用于抽取箱體的外部的空氣;變壓器本體,變壓器本體設(shè)置在箱體的內(nèi)...
          • 本發(fā)明公開了一種變壓器油位補(bǔ)償冷卻器,屬于儲油柜技術(shù)領(lǐng)域。該變壓器油位補(bǔ)償冷卻器,包括下集油盒和上集油盒,所述上集油盒靠近變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有進(jìn)油管,所述下集油盒遠(yuǎn)離變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有出油管,所述下集油盒和上集油盒之間設(shè)置有波...
          • 一種積層陶瓷電容包含積層磚及第一與第二端電極。積層磚包含陶瓷體及第一與第二內(nèi)電極。陶瓷體具上下表面及相對的第一與第二端面。第一與第二內(nèi)電極交替嵌在陶瓷體中。第一內(nèi)電極自第一端面朝第二端面延伸。第二內(nèi)電極自第二端面朝第一端面延伸。第一與第二內(nèi)...
          • 本發(fā)明屬于電化學(xué)儲能技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明與現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)方案不同,提出了一種三嗪高分子聚合物高性能材料制備方法。該方法具有步驟簡單,制作流程高效等優(yōu)點(diǎn)。所得三嗪高分子材料可以直接作為超級電容器的電極材料,能夠保持三嗪分子的穩(wěn)定性和其聚合而成的高分...
          • 一種利于滅弧的大開距框架斷路器或隔離開關(guān),它包括機(jī)構(gòu)主軸,所述機(jī)構(gòu)主軸通過連桿機(jī)構(gòu)能夠帶動動觸頭繞其自身的轉(zhuǎn)動中心轉(zhuǎn)動,所述動觸頭轉(zhuǎn)動過程中與靜觸頭的接觸和分離控制斷路器或隔離開關(guān)的通斷,所述動觸頭上的動銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在所述動觸頭轉(zhuǎn)...
          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)滅弧室和觸頭系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括動觸頭和靜觸頭,所述動觸頭和靜觸頭布置在殼體內(nèi)位于滅弧室下方位置,所述動觸頭和靜觸頭分?jǐn)鄷r(shí)候產(chǎn)生的電弧能夠被引導(dǎo)進(jìn)入滅弧室被熄滅,所述動觸頭上的動銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在...
          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)用靜觸頭引弧角,所述靜觸頭引弧角a設(shè)置在滅弧柵片組一側(cè)端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接,另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角另一端的端點(diǎn)位于所述滅弧柵片組高度的3/5~4/5位置處。框...
          • 本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設(shè)備和方法,雙腔體系統(tǒng)包括:第一腔體裝置,包括:包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器;第二腔體裝置,包括:包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器,其...
          • 本申請實(shí)施例公開了一種電子設(shè)備、電子器件及其制作方法,涉及金剛石技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有金剛石在半導(dǎo)體異質(zhì)材料成膜時(shí)生長界面的結(jié)合力差,導(dǎo)致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導(dǎo)體器件層。其中,緩沖層具有相對設(shè)置的第一...
          • 本發(fā)明提供一種清潔方法及半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵,傳輸腔室的腔壁上設(shè)有出氣口及多個(gè)充氣口,出氣口和多個(gè)充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個(gè)拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃;抽氣泵組的抽速低于高...
          • 本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導(dǎo)體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體;在環(huán)形本體內(nèi)沿其周向環(huán)繞設(shè)置有環(huán)形負(fù)壓通道,環(huán)形負(fù)壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口;環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動,在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
          • 本申請實(shí)施例公開了一種電子電路器件及電子設(shè)備。該電子電路器件包括本體結(jié)構(gòu)和接口焊點(diǎn),該本體結(jié)構(gòu)包括有機(jī)材料,接口焊點(diǎn)與本體結(jié)構(gòu)電連接;在本體結(jié)構(gòu)的外周表面包覆有防潮層,防潮層包括無機(jī)膜層,且接口焊點(diǎn)外露于防潮層,以構(gòu)建相應(yīng)的電連接。如此設(shè)置...
          • 本申請實(shí)施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物及封裝體,第一芯片與第一基板層疊設(shè)置,第一阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)于互連件的外表面,第一芯片與互連件之間通過連接物連接,第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物、第一芯...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中,封裝結(jié)構(gòu)包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設(shè)于第一芯片的第一表面所在一側(cè)且與第一芯片電連接。第二布線層...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種基板、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和基板的制備方法,涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中,基板包括層疊結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電芯、磁性件和導(dǎo)磁件。層疊結(jié)構(gòu)包括多層布線層和多層介質(zhì)層,布線層和介質(zhì)層交替層疊設(shè)置。導(dǎo)電芯嵌設(shè)在層疊結(jié)構(gòu)中,且貫穿至少一層介質(zhì)...
          • 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板、主動元件、至少一放電結(jié)構(gòu)、柵極接墊、多層互連金屬層以及熔絲結(jié)構(gòu)。基板具有主動區(qū)和虛設(shè)區(qū)。主動元件設(shè)置于基板的主動區(qū)。放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板的虛設(shè)區(qū)。柵極接墊設(shè)置于主動元件與放電結(jié)構(gòu)上方。多層互連金屬層設(shè)置于基板上方并位于柵極...
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