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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		微觀裝置的制造及其處理技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請提供一種MEMS器件、懸臂梁結構及其制備方法，涉及半導體技術領域。該懸臂梁結構包括：支撐座和懸臂梁，支撐座上設有第一貫通腔，第一貫通腔貫穿支撐座相對的兩個表面，懸臂梁的部分區域與支撐座的上表面貼合、另一部分區域懸浮于第一貫通腔的上方，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種半導體器件，涉及半導體技術領域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上層疊有結構層，所述結構層對應所述空腔形成薄膜區，所述結構層對應所述薄膜區之外的所述硅基底形成打線區；所述打線區包括第一打線區和第二打線區，...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種MEMS芯片的封裝結構及電子設備，其中MEMS芯片的封裝結構，包括：開設有相互連通的第一凹槽和第二凹槽的基板、具有第一腔的MEMS芯片、具有第二腔的ASIC芯片。MEMS芯片和ASIC芯片并排設置于基板上，MEMS芯片開...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種減小過載沖擊力的方法、MEMS微結構及MEMS器件，所述方法包括：將過載沖擊下敏感質量塊與阻擋塊的垂直正面碰撞變為角度碰撞。本發明將傳統的垂直正面碰撞變為角度碰撞，在碰撞時，敏感質量塊收到的沖擊力僅為垂直正面碰撞產生的沖擊力...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種具有內壁保護層的微型原子氣室及制備方法：所述微型原子氣室的結構包括：上到下依次設置的第二玻璃層、具有通孔結構的硅基體和第一玻璃層；所述通孔結構、第一玻璃層和第二玻璃層構成微型原子氣室；所述微型原子氣室內表面被保護層完全覆蓋，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種半導體器件及其制造方法，包括：提供基底，并形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述基底；根據形成功能結構的掩模圖形，對所述犧牲層進行刻蝕以形成若干個淺溝槽，所述掩模圖形包括形成槽寬小于預設閾值的第一深溝槽的圖形；形成功能層，所述功能層填...
								
            
							
            
							
						
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								      一種移動機構及其形成方法，形成方法包括：提供固定平臺和位于所述固定平臺上的內部結構；形成保形覆蓋所述內部結構和固定平臺的犧牲層；形成保形覆蓋所述犧牲層的弓形材料層；刻蝕所述弓形材料層，形成弓形電極，所述弓形電極包括與所述內部結構側壁相對的側...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種MEMS掃描鏡的制備工藝，準備SOI晶圓；在所述SOI晶圓器件層的上表面依次生長下電極層和PZT壓電薄膜層后，分別刻蝕所述PZT壓電薄膜層和下電極層，以圖形化制備下電極引線；在所述PZT壓電薄膜層的上表面生長多層絕緣層并刻蝕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及微納制造技術領域，具體涉及一種藍寶石基光學式流體壁面剪應力傳感器及制備方法，該制備方法包括：在支撐基底上制備固定光柵和焊接薄膜；在敏感基底上加工凹腔，在凹腔內加工凹槽以形成與浮動元件形狀相同的目標結構，并在目標結構上制備敏感光柵；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例涉及具有改善的外部流體耦合的微機電傳感器及其制造工藝。微機電傳感器包括：支撐體；感測結構，感測結構包括測量室和敏感元件，敏感元件部分地在支撐體中并且面向測量室；以及帽，帽被耦合到支撐體。帽包括：埋置腔；入口孔，入口孔與傳感器外...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于涉及半導體器件技術領域，涉及一種MEMS芯模的制備方法，包括以下步驟：先將硅片的氧化層側與晶圓襯底通過熱解膜粘合，同時采用深反應離子刻蝕在硅片表面形成所需圖形，并在表面沉積金屬膜；然后將硅片金屬膜側與晶圓襯底過熱解膜粘合，進一步刻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置。其包括制備預氣室晶圓單元，將堿金屬沉積在正對應的氣室孔槽內，且在氣室孔槽內沉積所需的堿金屬后，將預氣室晶圓單元冷卻至常溫；提供氣室封裝晶圓，并將所述氣室封裝晶圓與上述冷卻至常溫的預氣室晶圓單元...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種蝕刻測量圖形結構及鉆蝕量的測量方法，所述蝕刻測量圖形結構用于測量晶圓蝕刻量，所述蝕刻測量圖形結構包括以線性陣列排布的測量圖形；各所述測量圖形之間的間距依次構成等差數列。本發明的鉆蝕量的測量方法中，通過設置蝕刻測量圖形結構，測量...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種公安交警用智能設備箱，包括主體，主體包括底座、設置在所述底座上的箱體、設置在所述箱體上的蓋體，所述蓋體與箱體活動連接；容納組件，包括設置在所述底座上的減震部件、設置在所述減震部件上的容納槽；調溫組件，包括設置在所述底座上...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種傳感器芯片，其特征在于，所述傳感器芯片包括多層結構，所述多層結構包括：硅襯底；硅襯底具有在其厚度方向相對而設的第一側和第二側，背板、犧牲層以及振膜層疊設置于第一側；犧牲層設置于背板以及振膜之間；背板為多邊形結構；振膜上設...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種可實時調控圖案形狀的微納材料薄膜制備方法，包括：制備微納材料分散液；使用遮擋圖案對支撐膜部分區域的通孔進行遮擋，再將帶有遮擋圖案的支撐膜放置于微納材料分散液表面，使遮擋圖案位于氣液界面上方、不接觸分散液；加熱分散液，在支撐膜的...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種無塵拖鏈保護裝置，包括：保護箱與箱蓋，箱蓋設置在保護箱的上端面上；減震板，其滑動設置在保護箱的內側壁上；放置槽，其設置在減震板的上端面上；減震組件，其包括用于對減震板起到緩沖功能的緩沖結構、及用于對減震板起到輔助緩沖的輔...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種太赫茲超材料生物傳感器，涉及太赫茲技術領域，由若干個傳感單元拼接組成；傳感單元包括襯底層和介電質層；介電質層設置在襯底層上；介電質層包括5×5陣列分布的25個微納單元；微納單元包括圓柱體和3個相同的長方體；3個長方體均設置在圓...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種用于泡打粉生產的防潮裝置，涉及泡打粉生產領域，包括殼體以及殼體內部設置的防潮箱，且防潮箱的上端開設有第一出氣口，并且殼體的左右兩側開設有第二出氣口，所述殼體的上端固定安裝有鼓風機，所述殼體的上端貫穿安裝有空腔。該用于泡打...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種基于二硫化鉬異質結的氣壓傳感器及制備方法，屬于氣壓傳感器技術領域，包括基座、電極和異質結；基座中部設置有微腔，異質結對應微腔設置，該異質結包括與電極接觸連接的單層石墨烯薄膜和與單層石墨烯接觸連接的單層二硫化鉬薄膜，以在氣壓發...
								
            
							
            
							
						
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