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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)涉及包封的MEMS裝置。在實(shí)例中，微機(jī)電MEMS裝置(250)包括襯底(200)和半導(dǎo)體裸片(202)，所述半導(dǎo)體裸片耦合到所述襯底并且包含形成于其中的電路系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體裸片還包含耦合到所述電路系統(tǒng)的鍵合焊盤(pán)(206)。所述MEMS...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NMEMS器件、懸臂梁結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該懸臂梁結(jié)構(gòu)包括：支撐座和懸臂梁，支撐座上設(shè)有第一貫通腔，第一貫通腔貫穿支撐座相對(duì)的兩個(gè)表面，懸臂梁的部分區(qū)域與支撐座的上表面貼合、另一部分區(qū)域懸浮于第一貫通腔的上方，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上層疊有結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層對(duì)應(yīng)所述空腔形成薄膜區(qū)，所述結(jié)構(gòu)層對(duì)應(yīng)所述薄膜區(qū)之外的所述硅基底形成打線(xiàn)區(qū)；所述打線(xiàn)區(qū)包括第一打線(xiàn)區(qū)和第二打線(xiàn)區(qū)，...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，其中MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括：開(kāi)設(shè)有相互連通的第一凹槽和第二凹槽的基板、具有第一腔的MEMS芯片、具有第二腔的ASIC芯片。MEMS芯片和ASIC芯片并排設(shè)置于基板上，MEMS芯片開(kāi)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種減小過(guò)載沖擊力的方法、MEMS微結(jié)構(gòu)及MEMS器件，所述方法包括：將過(guò)載沖擊下敏感質(zhì)量塊與阻擋塊的垂直正面碰撞變?yōu)榻嵌扰鲎病１景l(fā)明將傳統(tǒng)的垂直正面碰撞變?yōu)榻嵌扰鲎玻谂鲎矔r(shí)，敏感質(zhì)量塊收到的沖擊力僅為垂直正面碰撞產(chǎn)生的沖擊力...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種具有內(nèi)壁保護(hù)層的微型原子氣室及制備方法：所述微型原子氣室的結(jié)構(gòu)包括：上到下依次設(shè)置的第二玻璃層、具有通孔結(jié)構(gòu)的硅基體和第一玻璃層；所述通孔結(jié)構(gòu)、第一玻璃層和第二玻璃層構(gòu)成微型原子氣室；所述微型原子氣室內(nèi)表面被保護(hù)層完全覆蓋，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，包括：提供基底，并形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述基底；根據(jù)形成功能結(jié)構(gòu)的掩模圖形，對(duì)所述犧牲層進(jìn)行刻蝕以形成若干個(gè)淺溝槽，所述掩模圖形包括形成槽寬小于預(yù)設(shè)閾值的第一深溝槽的圖形；形成功能層，所述功能層填...
								
            
							
            
							
						
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								      一種移動(dòng)機(jī)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供固定平臺(tái)和位于所述固定平臺(tái)上的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；形成保形覆蓋所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)和固定平臺(tái)的犧牲層；形成保形覆蓋所述犧牲層的弓形材料層；刻蝕所述弓形材料層，形成弓形電極，所述弓形電極包括與所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)側(cè)壁相對(duì)的側(cè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種MEMS掃描鏡的制備工藝，準(zhǔn)備SOI晶圓；在所述SOI晶圓器件層的上表面依次生長(zhǎng)下電極層和PZT壓電薄膜層后，分別刻蝕所述PZT壓電薄膜層和下電極層，以圖形化制備下電極引線(xiàn)；在所述PZT壓電薄膜層的上表面生長(zhǎng)多層絕緣層并刻蝕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及微納制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種藍(lán)寶石基光學(xué)式流體壁面剪應(yīng)力傳感器及制備方法，該制備方法包括：在支撐基底上制備固定光柵和焊接薄膜；在敏感基底上加工凹腔，在凹腔內(nèi)加工凹槽以形成與浮動(dòng)元件形狀相同的目標(biāo)結(jié)構(gòu)，并在目標(biāo)結(jié)構(gòu)上制備敏感光柵；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的實(shí)施例涉及具有改善的外部流體耦合的微機(jī)電傳感器及其制造工藝。微機(jī)電傳感器包括：支撐體；感測(cè)結(jié)構(gòu)，感測(cè)結(jié)構(gòu)包括測(cè)量室和敏感元件，敏感元件部分地在支撐體中并且面向測(cè)量室；以及帽，帽被耦合到支撐體。帽包括：埋置腔；入口孔，入口孔與傳感器外...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種MEMS芯模的制備方法，包括以下步驟：先將硅片的氧化層側(cè)與晶圓襯底通過(guò)熱解膜粘合，同時(shí)采用深反應(yīng)離子刻蝕在硅片表面形成所需圖形，并在表面沉積金屬膜；然后將硅片金屬膜側(cè)與晶圓襯底過(guò)熱解膜粘合，進(jìn)一步刻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)堿金屬氣室的制備方法及裝置。其包括制備預(yù)氣室晶圓單元，將堿金屬沉積在正對(duì)應(yīng)的氣室孔槽內(nèi)，且在氣室孔槽內(nèi)沉積所需的堿金屬后，將預(yù)氣室晶圓單元冷卻至常溫；提供氣室封裝晶圓，并將所述氣室封裝晶圓與上述冷卻至常溫的預(yù)氣室晶圓單元...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種蝕刻測(cè)量圖形結(jié)構(gòu)及鉆蝕量的測(cè)量方法，所述蝕刻測(cè)量圖形結(jié)構(gòu)用于測(cè)量晶圓蝕刻量，所述蝕刻測(cè)量圖形結(jié)構(gòu)包括以線(xiàn)性陣列排布的測(cè)量圖形；各所述測(cè)量圖形之間的間距依次構(gòu)成等差數(shù)列。本發(fā)明的鉆蝕量的測(cè)量方法中，通過(guò)設(shè)置蝕刻測(cè)量圖形結(jié)構(gòu)，測(cè)量...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種公安交警用智能設(shè)備箱，包括主體，主體包括底座、設(shè)置在所述底座上的箱體、設(shè)置在所述箱體上的蓋體，所述蓋體與箱體活動(dòng)連接；容納組件，包括設(shè)置在所述底座上的減震部件、設(shè)置在所述減震部件上的容納槽；調(diào)溫組件，包括設(shè)置在所述底座上...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種傳感器芯片，其特征在于，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括：硅襯底；硅襯底具有在其厚度方向相對(duì)而設(shè)的第一側(cè)和第二側(cè)，背板、犧牲層以及振膜層疊設(shè)置于第一側(cè)；犧牲層設(shè)置于背板以及振膜之間；背板為多邊形結(jié)構(gòu)；振膜上設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種可實(shí)時(shí)調(diào)控圖案形狀的微納材料薄膜制備方法，包括：制備微納材料分散液；使用遮擋圖案對(duì)支撐膜部分區(qū)域的通孔進(jìn)行遮擋，再將帶有遮擋圖案的支撐膜放置于微納材料分散液表面，使遮擋圖案位于氣液界面上方、不接觸分散液；加熱分散液，在支撐膜的...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種無(wú)塵拖鏈保護(hù)裝置，包括：保護(hù)箱與箱蓋，箱蓋設(shè)置在保護(hù)箱的上端面上；減震板，其滑動(dòng)設(shè)置在保護(hù)箱的內(nèi)側(cè)壁上；放置槽，其設(shè)置在減震板的上端面上；減震組件，其包括用于對(duì)減震板起到緩沖功能的緩沖結(jié)構(gòu)、及用于對(duì)減震板起到輔助緩沖的輔...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種太赫茲超材料生物傳感器，涉及太赫茲技術(shù)領(lǐng)域，由若干個(gè)傳感單元拼接組成；傳感單元包括襯底層和介電質(zhì)層；介電質(zhì)層設(shè)置在襯底層上；介電質(zhì)層包括5×5陣列分布的25個(gè)微納單元；微納單元包括圓柱體和3個(gè)相同的長(zhǎng)方體；3個(gè)長(zhǎng)方體均設(shè)置在圓...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種基于二硫化鉬異質(zhì)結(jié)的氣壓傳感器及制備方法，屬于氣壓傳感器技術(shù)領(lǐng)域，包括基座、電極和異質(zhì)結(jié)；基座中部設(shè)置有微腔，異質(zhì)結(jié)對(duì)應(yīng)微腔設(shè)置，該異質(zhì)結(jié)包括與電極接觸連接的單層石墨烯薄膜和與單層石墨烯接觸連接的單層二硫化鉬薄膜，以在氣壓發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類(lèi)
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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