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          • 本發(fā)明涉及一種具有內(nèi)部風(fēng)扇結(jié)構(gòu)的散熱型集電環(huán)裝置及其工作方法,包括主軸、上集電環(huán)、下集電環(huán)、離心風(fēng)扇,主軸設(shè)置在外罩內(nèi),離心風(fēng)扇安裝在主軸上,上集電環(huán)和下集電環(huán)安裝在離心風(fēng)扇上,上集電環(huán)和下集電環(huán)通過集電環(huán)支撐螺桿連接,集電環(huán)支撐螺桿一端配...
          • 本發(fā)明公開了一種可編程波形調(diào)制高功率光纖激光器系統(tǒng),具體涉及高功率光纖激光器領(lǐng)域,用于解決高脈沖重復(fù)頻率下別名失真導(dǎo)致的功率監(jiān)測和控制不穩(wěn)定性問題,是通過圍繞可編程波形調(diào)制高功率光纖激光器的預(yù)處理鏈路,植入微幅隨機(jī)時(shí)間抖動(dòng),通過時(shí)標(biāo)與功率序...
          • 本發(fā)明公開了一種帶有散熱結(jié)構(gòu)的建筑電氣弱電智能化控制裝置,包括控制箱體、控制模塊、散熱排、散熱板、輸入模塊和主控設(shè)備,控制模塊的表面開設(shè)有開孔,并嵌設(shè)于控制箱體的正面,并且控制模塊的正面兩側(cè)分別嵌設(shè)有控制按鍵和顯示屏,散熱排裝配于控制箱體的...
          • 本發(fā)明公開了一種改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)的防水型電纜分支箱,涉及低壓配電設(shè)備領(lǐng)域。一種改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)的防水型電纜分支箱,包括:分支箱體,所述分支箱體內(nèi)設(shè)置有用于對電纜線進(jìn)行安裝分支的安裝腔,所述分支箱體位于安裝腔開放口處轉(zhuǎn)動(dòng)連接有箱門,所述分支箱體的底部...
          • 本發(fā)明公開了一種基于差分學(xué)習(xí)的短期電力負(fù)荷預(yù)測方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì),方法包括采用距離相關(guān)系數(shù)方法對歷史電網(wǎng)負(fù)荷數(shù)據(jù)和實(shí)時(shí)氣象數(shù)據(jù)進(jìn)行特征選擇,提取關(guān)鍵特征,以形成輸入序列并利用時(shí)序卷積網(wǎng)絡(luò)的編碼器進(jìn)行時(shí)序特征提取,輸出上下文向量并利用自回歸...
          • 本發(fā)明公開了一種內(nèi)置MOS的高性能副邊同步整流控制器,包括控制芯片,所述控制芯片包括輸入模塊、控制邏輯模塊、輸出模塊、保護(hù)電路模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊、通信接口模塊、自供電電路模塊;用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET替代傳統(tǒng)整流二極管,大幅降低整流...
          • 本發(fā)明提供了一種基于安全協(xié)議調(diào)度的網(wǎng)絡(luò)故障流量優(yōu)化方法和系統(tǒng),屬于網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)領(lǐng)域,包括:通過在多個(gè)地理位置設(shè)置撥測點(diǎn),對目標(biāo)區(qū)域的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測;在監(jiān)測到目標(biāo)區(qū)域的網(wǎng)絡(luò)發(fā)生故障時(shí),基于安全協(xié)議機(jī)制將用戶流量調(diào)度至動(dòng)態(tài)內(nèi)容分發(fā)網(wǎng)絡(luò),用戶端...
          • 本發(fā)明公開了一種通信時(shí)延優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),該方法包括:利用發(fā)送端的時(shí)延測試服務(wù)周期性地通過各鏈路向接收端的時(shí)延測試服務(wù)發(fā)送時(shí)延測試包;在接收端的時(shí)延測試服務(wù)接收到時(shí)延測試包時(shí),獲取當(dāng)前幀發(fā)送時(shí)延,基于當(dāng)前幀發(fā)送時(shí)延和發(fā)送時(shí)延平...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種跨網(wǎng)絡(luò)通信方法和系統(tǒng),其中,所述方法包括:接收源通信數(shù)據(jù);采用位圖方案管理IPV4網(wǎng)絡(luò)的地址池;根據(jù)映射關(guān)系列表將源通信數(shù)據(jù)適配為目標(biāo)網(wǎng)絡(luò)可傳輸?shù)哪繕?biāo)通信數(shù)據(jù)并傳輸至目標(biāo)網(wǎng)絡(luò);位圖方案通過比特位標(biāo)記IPV4地址的分配狀...
          • 本申請實(shí)施例提供了一種基于VRB多協(xié)議改進(jìn)型互通融合方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),方法包括:接收第一RDMA設(shè)備發(fā)送的第一數(shù)據(jù)包,第一數(shù)據(jù)包包括RDMA協(xié)議的第一數(shù)據(jù)報(bào)頭信息和第一數(shù)據(jù)內(nèi)容,第一數(shù)據(jù)報(bào)頭信息包括第二視聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的IP地址;獲取用...
          • 本發(fā)明公開的一種高速單斜率ADC及其控制方法與CMOS圖像傳感器,其中高速單斜率ADC包括:斜坡發(fā)生器、采樣保持電路、預(yù)比較器、動(dòng)態(tài)比較器、控制邏輯寄存器和可加減計(jì)數(shù)器,其中,所述斜坡發(fā)生器用于生成參考電壓V_RAMP并進(jìn)行斜率校準(zhǔn);所述采...
          • 本發(fā)明涉及音樂教學(xué)器械技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種便于調(diào)節(jié)的話筒架及其使用方法,話筒架,包括支撐基座、導(dǎo)向套筒、定位座、調(diào)節(jié)桿、裝配組件、支撐組件和防塵組件,所述支撐基座的頂部端面中央插接安裝有導(dǎo)向套筒,所述導(dǎo)向套筒的頂部端面中央外側(cè)固定安裝有定...
          • 本發(fā)明公開了一種集成MEMS傳感器的耳機(jī)空間音頻定位方法及控制系統(tǒng),涉及耳機(jī)空間音頻定位領(lǐng)域;用溫度補(bǔ)償MEMS傳感器組和麥克風(fēng)陣列采集運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)與聲波信號,經(jīng)正交小波去噪和波束形成增強(qiáng)信號;采用雙擴(kuò)展卡爾曼濾波融合數(shù)據(jù)解算姿態(tài),引入模糊邏輯...
          • 本發(fā)明涉及音頻算法技術(shù)領(lǐng)域,揭示了一種根據(jù)語音環(huán)境實(shí)現(xiàn)定向透傳的方法、裝置及語音交互設(shè)備,通過麥克風(fēng)陣列定向識別使用者周圍設(shè)定距離內(nèi)的人聲;獲取使用者狀態(tài)信息,包括頭部動(dòng)作和語音反饋;根據(jù)人聲和狀態(tài)信息判斷使用者是否進(jìn)行語音交流;當(dāng)判斷使用...
          • 一種基于多元數(shù)據(jù)融合的高動(dòng)態(tài)流量和邊緣用戶數(shù)預(yù)測方法,包括獲取歷史RRH流量和邊緣用戶數(shù)的時(shí)間序列數(shù)據(jù);將歷史RRH流量和邊緣用戶數(shù)的序列數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為嵌入矩陣特征;基于嵌入矩陣特征預(yù)測未來的RRH流量和邊緣用戶數(shù)。本發(fā)明通過流量和人數(shù)歷史序列...
          • 本發(fā)明公開了一種印制電路板及其制備方法,其中,印制電路板的制備方法包括:獲取到基礎(chǔ)電路板以及被安裝對象;在被安裝對象的焊盤上設(shè)置焊料,以及基于焊盤的位置在基礎(chǔ)電路板上對應(yīng)制備多個(gè)導(dǎo)電凸臺;將被安裝對象的焊料與對應(yīng)的導(dǎo)電凸臺進(jìn)行對應(yīng)貼合設(shè)置,...
          • 本發(fā)明涉及納米材料領(lǐng)域,具體涉及一種2D?TMDs橫向異質(zhì)結(jié)陣列及其Zigzag M/X結(jié)尾誘導(dǎo)制備方法和應(yīng)用,其中的制備方法為:獲得A材料的單晶納米片,所述的A材料為MX2,所述的M為W或Mo;所述的X為S或Se;對...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,為解決現(xiàn)有器件抗空間輻照能力低的問題,具體提出一種具有復(fù)合源結(jié)構(gòu)的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)從下至上包括:襯底、緩沖層、溝道層和勢壘層,勢壘層上方的中間位置處設(shè)置有p?GaN層,在...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,為解決現(xiàn)有技術(shù)抗單粒子燒毀能力低的問題,提出一種具有輻照電荷抽取層的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發(fā)明的器件從下至上包括:襯底、緩沖層、輻照電荷抽取層、溝道層、勢壘層、P?GaN層;勢壘層上表面...
          • 本發(fā)明公開了一種TOPCon太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用,屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的TOPCon太陽能電池的制備方法包括以下步驟:S1.采用第一ALD法在預(yù)處理硅片的正面設(shè)置Al2O3薄...
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