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          • 本發明公開了一種可編程波形調制高功率光纖激光器系統,具體涉及高功率光纖激光器領域,用于解決高脈沖重復頻率下別名失真導致的功率監測和控制不穩定性問題,是通過圍繞可編程波形調制高功率光纖激光器的預處理鏈路,植入微幅隨機時間抖動,通過時標與功率序...
          • 本發明公開了一種帶有散熱結構的建筑電氣弱電智能化控制裝置,包括控制箱體、控制模塊、散熱排、散熱板、輸入模塊和主控設備,控制模塊的表面開設有開孔,并嵌設于控制箱體的正面,并且控制模塊的正面兩側分別嵌設有控制按鍵和顯示屏,散熱排裝配于控制箱體的...
          • 本發明公開了一種改進散熱結構的防水型電纜分支箱,涉及低壓配電設備領域。一種改進散熱結構的防水型電纜分支箱,包括:分支箱體,所述分支箱體內設置有用于對電纜線進行安裝分支的安裝腔,所述分支箱體位于安裝腔開放口處轉動連接有箱門,所述分支箱體的底部...
          • 本發明公開了一種基于差分學習的短期電力負荷預測方法、系統及存儲介質,方法包括采用距離相關系數方法對歷史電網負荷數據和實時氣象數據進行特征選擇,提取關鍵特征,以形成輸入序列并利用時序卷積網絡的編碼器進行時序特征提取,輸出上下文向量并利用自回歸...
          • 本發明公開了一種內置MOS的高性能副邊同步整流控制器,包括控制芯片,所述控制芯片包括輸入模塊、控制邏輯模塊、輸出模塊、保護電路模塊、驅動電路模塊、通信接口模塊、自供電電路模塊;用導通電阻極低的功率MOSFET替代傳統整流二極管,大幅降低整流...
          • 本發明提供了一種基于安全協議調度的網絡故障流量優化方法和系統,屬于網絡通信技術領域,包括:通過在多個地理位置設置撥測點,對目標區域的網絡進行實時監測;在監測到目標區域的網絡發生故障時,基于安全協議機制將用戶流量調度至動態內容分發網絡,用戶端...
          • 本發明公開了一種通信時延優化方法、裝置、設備及存儲介質,該方法包括:利用發送端的時延測試服務周期性地通過各鏈路向接收端的時延測試服務發送時延測試包;在接收端的時延測試服務接收到時延測試包時,獲取當前幀發送時延,基于當前幀發送時延和發送時延平...
          • 本發明實施例提供了一種跨網絡通信方法和系統,其中,所述方法包括:接收源通信數據;采用位圖方案管理IPV4網絡的地址池;根據映射關系列表將源通信數據適配為目標網絡可傳輸的目標通信數據并傳輸至目標網絡;位圖方案通過比特位標記IPV4地址的分配狀...
          • 本申請實施例提供了一種基于VRB多協議改進型互通融合方法、裝置、設備及存儲介質,方法包括:接收第一RDMA設備發送的第一數據包,第一數據包包括RDMA協議的第一數據報頭信息和第一數據內容,第一數據報頭信息包括第二視聯網設備的IP地址;獲取用...
          • 本發明公開的一種高速單斜率ADC及其控制方法與CMOS圖像傳感器,其中高速單斜率ADC包括:斜坡發生器、采樣保持電路、預比較器、動態比較器、控制邏輯寄存器和可加減計數器,其中,所述斜坡發生器用于生成參考電壓V_RAMP并進行斜率校準;所述采...
          • 本發明涉及音樂教學器械技術領域,尤其涉及一種便于調節的話筒架及其使用方法,話筒架,包括支撐基座、導向套筒、定位座、調節桿、裝配組件、支撐組件和防塵組件,所述支撐基座的頂部端面中央插接安裝有導向套筒,所述導向套筒的頂部端面中央外側固定安裝有定...
          • 本發明公開了一種集成MEMS傳感器的耳機空間音頻定位方法及控制系統,涉及耳機空間音頻定位領域;用溫度補償MEMS傳感器組和麥克風陣列采集運動數據與聲波信號,經正交小波去噪和波束形成增強信號;采用雙擴展卡爾曼濾波融合數據解算姿態,引入模糊邏輯...
          • 本發明涉及音頻算法技術領域,揭示了一種根據語音環境實現定向透傳的方法、裝置及語音交互設備,通過麥克風陣列定向識別使用者周圍設定距離內的人聲;獲取使用者狀態信息,包括頭部動作和語音反饋;根據人聲和狀態信息判斷使用者是否進行語音交流;當判斷使用...
          • 一種基于多元數據融合的高動態流量和邊緣用戶數預測方法,包括獲取歷史RRH流量和邊緣用戶數的時間序列數據;將歷史RRH流量和邊緣用戶數的序列數據轉換為嵌入矩陣特征;基于嵌入矩陣特征預測未來的RRH流量和邊緣用戶數。本發明通過流量和人數歷史序列...
          • 本發明公開了一種印制電路板及其制備方法,其中,印制電路板的制備方法包括:獲取到基礎電路板以及被安裝對象;在被安裝對象的焊盤上設置焊料,以及基于焊盤的位置在基礎電路板上對應制備多個導電凸臺;將被安裝對象的焊料與對應的導電凸臺進行對應貼合設置,...
          • 本發明涉及納米材料領域,具體涉及一種2D?TMDs橫向異質結陣列及其Zigzag M/X結尾誘導制備方法和應用,其中的制備方法為:獲得A材料的單晶納米片,所述的A材料為MX2,所述的M為W或Mo;所述的X為S或Se;對...
          • 本發明涉及半導體器件技術領域,為解決現有器件抗空間輻照能力低的問題,具體提出一種具有復合源結構的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發明的結構從下至上包括:襯底、緩沖層、溝道層和勢壘層,勢壘層上方的中間位置處設置有p?GaN層,在...
          • 本發明涉及半導體器件技術領域,為解決現有技術抗單粒子燒毀能力低的問題,提出一種具有輻照電荷抽取層的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發明的器件從下至上包括:襯底、緩沖層、輻照電荷抽取層、溝道層、勢壘層、P?GaN層;勢壘層上表面...
          • 本發明公開了一種TOPCon太陽能電池及其制備方法和應用,屬于太陽能電池技術領域。本發明提供的TOPCon太陽能電池的制備方法包括以下步驟:S1.采用第一ALD法在預處理硅片的正面設置Al2O3薄...
          • 本發明涉及半導體制造技術領域,特別涉及一種發光二極管及發光裝置,其包括半導體疊層,半導體疊層包括依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層,第二半導體層包括在發光層上依次層疊的間隔層、覆蓋層和窗口層,覆蓋層覆蓋部分的間隔層,第二半導體層具...
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