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          • 本發(fā)明涉及抗菌劑技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種外用水性抗菌劑,包括如下質(zhì)量份數(shù)的原料:抗菌劑3?5份、表面帶氨基的納米二氧化硅5?10份、乙二醇5?10份、乙醇10?15份、木醋液提取物10?30份、pH調(diào)節(jié)劑1?3份、水30?50份、氯化鈉2?4...
          • 一種五層結(jié)構(gòu)的透皮給藥貼劑及其應(yīng)用,屬于藥物制劑技術(shù)領(lǐng)域。該貼劑包括背襯膜、含鹽酸多奈哌齊的儲(chǔ)庫(kù)層、控釋膜、含有機(jī)堿的黏附層及離型膜。通過(guò)控釋膜控制鹽酸多奈哌齊釋放速率并將鹽酸多奈哌齊與有機(jī)堿隔離,提高藥物穩(wěn)定性和調(diào)控藥物釋放速率,鹽酸多奈...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種牙科粘接劑,按質(zhì)量百分比計(jì),包括以下組分:氧化鎢亞納米線(xiàn),0.5~2wt%;基質(zhì)樹(shù)脂,50~96wt%;光引發(fā)劑,0.5~2wt%;溶劑,0~30wt%;分散體系,0~0.5wt%。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種以氧化鎢亞納米線(xiàn)為功能填料...
          • 本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)中心冷卻領(lǐng)域,具體公開(kāi)一種基于湖水利用的自然冷卻系統(tǒng),該系統(tǒng)包括包括:自然冷卻單元、風(fēng)冷單元、液冷單元、余熱利用單元和控制單元;該系統(tǒng)能夠以湖水或其他地表水作為冷源,室內(nèi)末端采用液冷板輔以風(fēng)冷方式有效供給冷量,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心全年...
          • 本發(fā)明提供一種高頻帶寬用低損耗柔性線(xiàn)路板基板的制備方法及基板,具備低損耗因子(Df 0.001以下)的特性,基板使用特氟龍材質(zhì)的介質(zhì)體,使其具有與金屬薄膜有高度的粘合力、彎曲柔軟性、低的熱膨脹常數(shù)、尺寸穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。特別是與金屬薄膜的粘合力...
          • 本申請(qǐng)涉及一種通信方法及電子設(shè)備,電子設(shè)備包括第一藍(lán)牙模塊和第一無(wú)線(xiàn)通信模塊;方法包括:第一藍(lán)牙模塊在與對(duì)端設(shè)備中的第二藍(lán)牙模塊之間藍(lán)牙配對(duì)過(guò)程中,接收第二藍(lán)牙模塊發(fā)送的對(duì)端設(shè)備中第二無(wú)線(xiàn)通信模塊對(duì)應(yīng)的第二標(biāo)識(shí)參考信息,并發(fā)送第一無(wú)線(xiàn)通信模...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種大規(guī)模三維圖像數(shù)據(jù)視頻生成方法及裝置,通過(guò)根據(jù)多張待處理圖像以及待處理圖像的熵值或梯度強(qiáng)度,確定待處理圖像中高復(fù)雜度區(qū)域,接受預(yù)設(shè)空間區(qū)域參數(shù)或預(yù)設(shè)體積特征參數(shù),調(diào)整空間區(qū)域參數(shù)或預(yù)設(shè)體積特征參數(shù),并對(duì)各待處理圖像的進(jìn)行...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N圖像處理方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品,通過(guò)獲取緩存幀序列,并將緩存幀序列中待處理的多幀送顯圖像添加至送顯幀序列。然后確定N幀送顯圖像的差異度,并根據(jù)差異度,確定是否對(duì)送顯幀序列進(jìn)行插幀處理。若確定對(duì)送顯幀序列進(jìn)行插幀處...
          • 本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種傳輸命令拆分粒度的動(dòng)態(tài)調(diào)整方法及裝置,該方法包括:通過(guò)從設(shè)備協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊對(duì)當(dāng)前傳輸任務(wù)的數(shù)據(jù)包進(jìn)行分析,確定數(shù)據(jù)包的數(shù)據(jù)信息,將數(shù)據(jù)信息發(fā)送到主設(shè)備協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊,通過(guò)主設(shè)備協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊根據(jù)數(shù)據(jù)信息,計(jì)算...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種算網(wǎng)一體化多維數(shù)據(jù)感知系統(tǒng),包括冊(cè)登錄模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊、無(wú)侵入觀測(cè)模塊和智能行為預(yù)測(cè)模塊,無(wú)侵入觀測(cè)模塊用于對(duì)獲取的數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控和分析,智能行為預(yù)測(cè)模塊用于根據(jù)無(wú)侵入觀測(cè)模塊獲得的分析結(jié)果向客戶(hù)生成行動(dòng)建議。...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種面向碳鏈網(wǎng)格的數(shù)據(jù)隱私保護(hù)方法及系統(tǒng),涉及數(shù)據(jù)隱私傳輸與隱私計(jì)算領(lǐng)域,包括需要進(jìn)行計(jì)算任務(wù)的用戶(hù)向中央服務(wù)器發(fā)起計(jì)算任務(wù),至中央服務(wù)器;中央服務(wù)器向計(jì)算任務(wù)涉及的各數(shù)據(jù)擁有方用戶(hù)發(fā)起計(jì)算請(qǐng)求,進(jìn)行對(duì)應(yīng)的聯(lián)邦學(xué)習(xí)計(jì)算迭代,在每...
          • 本發(fā)明提供一種安全測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及應(yīng)用測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括獲取目標(biāo)應(yīng)用的明文數(shù)據(jù)報(bào)文,并對(duì)所述明文數(shù)據(jù)報(bào)文添加類(lèi)型標(biāo)識(shí)得到標(biāo)記后報(bào)文;將所述標(biāo)記后報(bào)文傳輸至服務(wù)端,以使所述服務(wù)端根據(jù)所述類(lèi)型標(biāo)識(shí)對(duì)所述標(biāo)記后報(bào)文...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于記憶電壓極化比相式距離保護(hù)動(dòng)作執(zhí)行的方法及系統(tǒng),屬于電力系統(tǒng)及其自動(dòng)化技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方法,包括:獲取電力系統(tǒng)中被保護(hù)線(xiàn)路故障后,保護(hù)安裝點(diǎn)處的三相電壓數(shù)據(jù),根據(jù)所述三相電壓數(shù)據(jù),獲取基本變量;根據(jù)所述基本變量,基于預(yù)設(shè)...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于平面金屬光柵的超窄線(xiàn)寬可調(diào)波長(zhǎng)外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左右端面分別鍍?cè)O(shè)有高反射膜和第一增透膜;所述增益芯片右側(cè)設(shè)置有平面金屬光柵波導(dǎo),所述增益芯片的右端面與所述平面金屬光柵波導(dǎo)的...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于頂部金屬反射光柵的緊湊型超窄線(xiàn)寬外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面鍍?cè)O(shè)有高反射膜,所述增益芯片右端面鍍?cè)O(shè)有第一增透膜;所述增益芯片右側(cè)設(shè)置有金屬光柵波導(dǎo),所述增益芯片的右端面與所述金...
          • 本發(fā)明涉及天線(xiàn)技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種基于頻率選擇表面的WiFi雙頻天線(xiàn),包括順次設(shè)置的低頻單元、頻率選擇層和高頻單元;所述低頻單元包括低頻饋線(xiàn)、第一基板和設(shè)在第一基板表面的若干對(duì)稱(chēng)設(shè)置的低頻貼片,所述低頻貼片由環(huán)狀貼片及其內(nèi)部的十字貼片構(gòu)成;...
          • 本發(fā)明涉及無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種雙頻共口徑透反射陣列天線(xiàn),包括饋源和傳輸陣列,傳輸陣列具有交替設(shè)置的M×N個(gè)低頻輻射單元和m×n個(gè)高頻輻射單元;低頻輻射單元包括四層由介質(zhì)層隔開(kāi)的十字形的低頻貼片,低頻貼片沿Y軸方向的長(zhǎng)度為L(zhǎng)...
          • 本發(fā)明提供了一種正極材料的制備方法、正極材料、動(dòng)力電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,正極材料的制備方法包括:步驟S11:在混合漿料中加入分散劑,進(jìn)行攪拌分散作業(yè),獲得目標(biāo)漿料,其中,混合漿料至少包括:主活性材料、炭黑、粘接劑、溶劑、導(dǎo)電劑;步驟S12...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極、鋰離子電池和涉電設(shè)備,負(fù)極材料包括內(nèi)核和包覆層,內(nèi)核包括含硅材料,包覆層對(duì)內(nèi)核構(gòu)成包覆,包覆層的材料包括具有交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的聚合物,聚合物含有磺酰胺基團(tuán)。一方面,磺酰胺基團(tuán)化學(xué)鍵的鍵能較高,在高溫條件...
          • 本發(fā)明提供的一種電子式接觸器常開(kāi)輔助觸點(diǎn),包括印制板;所述印制板上安裝有位移傳感器和輸入輸出端口,并設(shè)有控制電路分別與輸入輸出端口和位移傳感器連接,所述控制電路上加工有通孔在位移傳感器下方,傳動(dòng)桿的一端從通孔內(nèi)伸入位移傳感器內(nèi),傳動(dòng)桿的另一...
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