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								      本發明涉及深紫外膜鍍膜的技術領域，特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設備及工藝，包括鍍膜機，鍍膜機頂端設置有蒸汽口；還包括移動裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤、多邊形筒和定位槽，多組吸盤分別設置在多組第一氣缸的移動端上，多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種用于小口徑金屬管內壁涂層制備的電爆噴涂裝置，涉及電爆噴涂領域，其包括低壓導電管，其連接于電容器的低壓端；金屬管驅動機構，用于驅動金屬管沿低壓導電管內部軸向移動；金屬管驅動機構上設置有低壓電極；高壓導電管，其連接于電容器的高壓...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種GH4169工件表面復合功能層及其制備方法。本發明的GH4169工件表面復合功能層的制備方法，包括：采用MEVVA離子源對GH4169工件表面進行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入，形成過渡金屬層；通過磁控濺射法在過渡金屬層上依次循環...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的課題是提供一種能夠適用于半導體制造裝置的構成部件且耐腐蝕性優異的金屬材料。本發明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層，并且，所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種連續鍍鋅帶鋼用輥式表面鈍化處理裝置，包括工作臺、位于工作臺頂部左側的第一導輥架和位于工作臺頂部右側的第二導輥架，所述工作臺的底部設置有調整單元帶動第一導輥架和第二導輥架相對或者相離運動，所述工作臺的頂部中間固定有鈍化液箱，本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種銅摻雜高熵合金氮化物復合涂層及其制備方法，本發明涂層包括設置在基體上的中間過渡層和表面工作層，所述過渡層自內而外依次為打底層TiAlCrV合金層和中間層TiAlCrVN氮化物層，表面的(TiAlCrV)?Cu?N高熵合金氮化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于光學薄膜技術領域，具體涉及一種紫外寬波段低反射薄膜及其制備方法。本發明提供的紫外寬波段低反射薄膜包括交替層疊設置的低折射率材料和高折射率材料，低折射率材料包括SiO2、Al2O...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于營養組合物技術領域，具體涉及一種促進生長發育和改善感冒癥狀的組合物及其制備方法和應用。所述組合物包括：脫脂乳粉、全脂乳粉、脫鹽乳清粉、乳糖、低聚異麥芽糖、結晶果糖、牛初乳粉、乳礦物鹽、低聚半乳糖、低聚果糖、初乳堿性蛋白、水解蛋黃粉...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種玻璃基板蒸鍍裝置，包括基座、掩膜版和吸附組件，基座內設有蒸鍍腔，基座上設有用于封閉蒸鍍腔的蓋板，待蒸鍍的玻璃基板固定在蓋板朝向蒸鍍腔的一側面上，蒸鍍腔內設有多個朝向玻璃基板的蒸鍍噴頭；掩膜版設置玻璃基板與蒸鍍噴頭之間，且...
								
            
							
            
							
						
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								      一種復合掩膜版的制備方法，包括如下步驟：S1：在掩膜版上設置有光刻圖；S2：通過光刻圖去除部分光阻；S3：電鑄掩膜版，在掩膜版上均勻涂布高分子膜層；S4：將高分子膜層固化成型；S5：對固化后的高分子膜層進行脈沖鉆孔，開出帶錐角的類圓錐臺孔洞...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種氧化硅表面生長石墨烯薄膜的方法，其包括如下步驟：S1，提供氧化硅片襯底，其中，該氧化硅片襯底包括硅片和位于硅片表面的氧化硅薄膜，該氧化硅薄膜的厚度為90nm?300nm；S2，在功率為20瓦?50瓦的等離子輔助和380℃?60...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種用于不耐高溫基材在真空室鍍膜中的溫控系統，包括設置于真空室內且與基材相貼合進行換熱的熱交換組件，所述熱交換組件與設置于真空室外且并行設置的冷卻模塊以及升溫模塊相連通；設置冷卻模塊，對鍍膜過程中的基材進行冷卻，從而帶走基材...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型提供了一種便于換粉的送粉裝置及設備，包括：快拆粉筒組件；出粉組件，所述出粉組件包括殼體和轉盤，所述快拆粉筒組件的出口與所述殼體可拆卸連接，所述轉盤設置在殼體內，所述轉盤上設有用于容納從所述快拆粉筒組件流下的粉末的環形容納槽；驅動電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種微通道式Mist?CVD薄膜外延系統，包括供氣模塊，供氣模塊連通有霧化模塊和反應模塊，霧化模塊連通反應模塊，反應模塊連通有尾氣處理模塊；反應模塊與霧化模塊之間連通有積液回流裝置；反應模塊中設置有水平的微通道，用于提供沉積反應...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及化學氣相沉積爐及化學氣相沉積裝置，屬于化學氣相沉積設備技術領域；所述化學氣相沉積爐包括：沉積爐本體，在沉積爐本體內部形成沉積室，沉積室內部安裝有攪拌機構；整個化學氣相沉積裝置采用熱風作為動力源，既可以推動沉積室內部設置的攪拌機構運...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種帶有快換式升降錫爐裝置的涂錫機，涉及涂錫機技術領域，解決了錫爐內的錫液更換不便，容易存在殘留的問題，其包括涂錫機本體和錫爐，還包括：用于放置錫爐的車架，所述車架的底部安裝有滾輪以便錫爐移動；抬升組件，所述抬升組件包括安裝...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型屬于顯示裝置制造技術領域，公開了一種化學氣相沉積裝置，包括腔體、安裝架、上電極、下電極和絕緣墊，腔體通過安裝架設置于地面上，腔體內設置有沉積腔，上電極和下電極沿豎直方向間隔設置于沉積腔，上電極連接射頻電源，下電極接地并用于承托待鍍...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種用于連續進行原子層及分子層沉積的方法及裝置，通過反應器結構以及伸縮機構使得本裝置在不同工位時進行不同的沉積反應，依次進行原子層沉積技術包覆導電陶瓷層，再進行分子沉積包覆碳材料以及和高溫碳化過程，中途不需要取出中間產物，實現連...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的一種TM022模式微波等離子體金剛石膜沉積裝置，屬于微波等離子體化學氣相沉積技術領域。結構包括進氣孔(1)、腔體(2)、觀察窗口(3)、測溫窗口(4)、等離子體半球(5)、樣品臺(6)、銅臺(7)、環形石英玻璃(8)、倒圓臺底柱(9...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種蒸發臺片架，包括蒸發臺體，所述蒸發臺體內上部設有多個容置槽，容置槽內底部通過立桿插設有深度調節板，第一空腔內部通過絲杠設有升降板，立桿下端與升降板上部固定連接，容置槽內壁設有鎖定槽，且鎖定槽內通過連桿設有定位壓片，且第二...
								
            
							
            
							
						
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