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          五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
          • 本申請涉及導(dǎo)光板加工的技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種導(dǎo)光板反光層附著工藝及其蒸發(fā)鍍膜設(shè)備,導(dǎo)光板反光層蒸發(fā)鍍膜設(shè)備包括機體,內(nèi)部中空形成操作腔;靶材掛架,設(shè)置于機體中,用于安裝并蒸發(fā)靶材;轉(zhuǎn)動架,轉(zhuǎn)動連接于機體中,并圍合靶材掛架;安裝機構(gòu),于轉(zhuǎn)動架上...
          • 本發(fā)明涉及深紫外膜鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設(shè)備及工藝,包括鍍膜機,鍍膜機頂端設(shè)置有蒸汽口;還包括移動裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤、多邊形筒和定位槽,多組吸盤分別設(shè)置在多組第一氣缸的移動端上,多...
          • 本發(fā)明提供了一種用于小口徑金屬管內(nèi)壁涂層制備的電爆噴涂裝置,涉及電爆噴涂領(lǐng)域,其包括低壓導(dǎo)電管,其連接于電容器的低壓端;金屬管驅(qū)動機構(gòu),用于驅(qū)動金屬管沿低壓導(dǎo)電管內(nèi)部軸向移動;金屬管驅(qū)動機構(gòu)上設(shè)置有低壓電極;高壓導(dǎo)電管,其連接于電容器的高壓...
          • 本發(fā)明提供一種GH4169工件表面復(fù)合功能層及其制備方法。本發(fā)明的GH4169工件表面復(fù)合功能層的制備方法,包括:采用MEVVA離子源對GH4169工件表面進(jìn)行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入,形成過渡金屬層;通過磁控濺射法在過渡金屬層上依次循環(huán)...
          • 本發(fā)明的課題是提供一種能夠適用于半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成部件且耐腐蝕性優(yōu)異的金屬材料。本發(fā)明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層,并且,所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
          • 本發(fā)明公開了一種連續(xù)鍍鋅帶鋼用輥式表面鈍化處理裝置,包括工作臺、位于工作臺頂部左側(cè)的第一導(dǎo)輥架和位于工作臺頂部右側(cè)的第二導(dǎo)輥架,所述工作臺的底部設(shè)置有調(diào)整單元帶動第一導(dǎo)輥架和第二導(dǎo)輥架相對或者相離運動,所述工作臺的頂部中間固定有鈍化液箱,本...
          • 本發(fā)明公開了一種銅摻雜高熵合金氮化物復(fù)合涂層及其制備方法,本發(fā)明涂層包括設(shè)置在基體上的中間過渡層和表面工作層,所述過渡層自內(nèi)而外依次為打底層TiAlCrV合金層和中間層TiAlCrVN氮化物層,表面的(TiAlCrV)?Cu?N高熵合金氮化...
          • 本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種紫外寬波段低反射薄膜及其制備方法。本發(fā)明提供的紫外寬波段低反射薄膜包括交替層疊設(shè)置的低折射率材料和高折射率材料,低折射率材料包括SiO2、Al2O...
          • 本發(fā)明屬于營養(yǎng)組合物技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種促進(jìn)生長發(fā)育和改善感冒癥狀的組合物及其制備方法和應(yīng)用。所述組合物包括:脫脂乳粉、全脂乳粉、脫鹽乳清粉、乳糖、低聚異麥芽糖、結(jié)晶果糖、牛初乳粉、乳礦物鹽、低聚半乳糖、低聚果糖、初乳堿性蛋白、水解蛋黃粉...
          • 本實用新型公開了一種玻璃基板蒸鍍裝置,包括基座、掩膜版和吸附組件,基座內(nèi)設(shè)有蒸鍍腔,基座上設(shè)有用于封閉蒸鍍腔的蓋板,待蒸鍍的玻璃基板固定在蓋板朝向蒸鍍腔的一側(cè)面上,蒸鍍腔內(nèi)設(shè)有多個朝向玻璃基板的蒸鍍噴頭;掩膜版設(shè)置玻璃基板與蒸鍍噴頭之間,且...
          • 一種復(fù)合掩膜版的制備方法,包括如下步驟:S1:在掩膜版上設(shè)置有光刻圖;S2:通過光刻圖去除部分光阻;S3:電鑄掩膜版,在掩膜版上均勻涂布高分子膜層;S4:將高分子膜層固化成型;S5:對固化后的高分子膜層進(jìn)行脈沖鉆孔,開出帶錐角的類圓錐臺孔洞...
          • 本實用新型公開了一種用于不耐高溫基材在真空室鍍膜中的溫控系統(tǒng),包括設(shè)置于真空室內(nèi)且與基材相貼合進(jìn)行換熱的熱交換組件,所述熱交換組件與設(shè)置于真空室外且并行設(shè)置的冷卻模塊以及升溫模塊相連通;設(shè)置冷卻模塊,對鍍膜過程中的基材進(jìn)行冷卻,從而帶走基材...
          • 本發(fā)明涉及一種氧化硅表面生長石墨烯薄膜的方法,其包括如下步驟:S1,提供氧化硅片襯底,其中,該氧化硅片襯底包括硅片和位于硅片表面的氧化硅薄膜,該氧化硅薄膜的厚度為90nm?300nm;S2,在功率為20瓦?50瓦的等離子輔助和380℃?60...
          • 本實用新型提供了一種便于換粉的送粉裝置及設(shè)備,包括:快拆粉筒組件;出粉組件,所述出粉組件包括殼體和轉(zhuǎn)盤,所述快拆粉筒組件的出口與所述殼體可拆卸連接,所述轉(zhuǎn)盤設(shè)置在殼體內(nèi),所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)有用于容納從所述快拆粉筒組件流下的粉末的環(huán)形容納槽;驅(qū)動電...
          • 本發(fā)明公開了一種微通道式Mist?CVD薄膜外延系統(tǒng),包括供氣模塊,供氣模塊連通有霧化模塊和反應(yīng)模塊,霧化模塊連通反應(yīng)模塊,反應(yīng)模塊連通有尾氣處理模塊;反應(yīng)模塊與霧化模塊之間連通有積液回流裝置;反應(yīng)模塊中設(shè)置有水平的微通道,用于提供沉積反應(yīng)...
          • 本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積爐及化學(xué)氣相沉積裝置,屬于化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域;所述化學(xué)氣相沉積爐包括:沉積爐本體,在沉積爐本體內(nèi)部形成沉積室,沉積室內(nèi)部安裝有攪拌機構(gòu);整個化學(xué)氣相沉積裝置采用熱風(fēng)作為動力源,既可以推動沉積室內(nèi)部設(shè)置的攪拌機構(gòu)運...
          • 本實用新型公開了一種帶有快換式升降錫爐裝置的涂錫機,涉及涂錫機技術(shù)領(lǐng)域,解決了錫爐內(nèi)的錫液更換不便,容易存在殘留的問題,其包括涂錫機本體和錫爐,還包括:用于放置錫爐的車架,所述車架的底部安裝有滾輪以便錫爐移動;抬升組件,所述抬升組件包括安裝...
          • 本實用新型屬于顯示裝置制造技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種化學(xué)氣相沉積裝置,包括腔體、安裝架、上電極、下電極和絕緣墊,腔體通過安裝架設(shè)置于地面上,腔體內(nèi)設(shè)置有沉積腔,上電極和下電極沿豎直方向間隔設(shè)置于沉積腔,上電極連接射頻電源,下電極接地并用于承托待鍍...
          • 本實用新型公開了一種蒸發(fā)臺片架,包括蒸發(fā)臺體,所述蒸發(fā)臺體內(nèi)上部設(shè)有多個容置槽,容置槽內(nèi)底部通過立桿插設(shè)有深度調(diào)節(jié)板,第一空腔內(nèi)部通過絲杠設(shè)有升降板,立桿下端與升降板上部固定連接,容置槽內(nèi)壁設(shè)有鎖定槽,且鎖定槽內(nèi)通過連桿設(shè)有定位壓片,且第二...
          • 本發(fā)明提供了一種用于連續(xù)進(jìn)行原子層及分子層沉積的方法及裝置,通過反應(yīng)器結(jié)構(gòu)以及伸縮機構(gòu)使得本裝置在不同工位時進(jìn)行不同的沉積反應(yīng),依次進(jìn)行原子層沉積技術(shù)包覆導(dǎo)電陶瓷層,再進(jìn)行分子沉積包覆碳材料以及和高溫碳化過程,中途不需要取出中間產(chǎn)物,實現(xiàn)連...
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