珠海鎵未來科技有限公司郭超凡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉珠海鎵未來科技有限公司申請的專利一種具有多層場板的氮化鎵功率器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223391593U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422797137.6，技術領域涉及：H10D30/47；該實用新型一種具有多層場板的氮化鎵功率器件是由郭超凡;張銘宏;吳毅鋒;王中黨設計研發完成，并于2024-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有多層場板的氮化鎵功率器件在說明書摘要公布了：本實用新型提供一種具有多層場板的氮化鎵功率器件，包括氮化鎵襯底、第一介質層、第二介質層、下層介質層、上層介質層及柵極金屬。下層介質層的上表面設置有下級場板區域和上層介質區域；下級場板區域處設置有下級場板；上層介質層與下層介質層直接連接，且位于上層介質區域處。在同等刻蝕條件下，下層介質層的刻蝕速度小于上層介質層的刻蝕速度；上層介質區域之外的上層介質層被完全刻蝕掉后，下層介質層僅少部分被刻蝕掉，上層介質層與下層介質層可以直接連接，從而無需在兩層介質層之間設置刻蝕停止層，減少制作流程，節省了制備時間；同時可以避免兩層介質層之間產生縫隙，進而減少因刻蝕損傷導致的電場局部集中效應，提高器件的可靠性。
本實用新型一種具有多層場板的氮化鎵功率器件在權利要求書中公布了：1.一種具有多層場板的氮化鎵功率器件，其特征在于，包括： 氮化鎵襯底； 第一介質層，設置在所述氮化鎵襯底上；所述第一介質層包括源極歐姆接觸孔以及漏極歐姆接觸孔，所述源極歐姆接觸孔中設置有源極歐姆電極，所述漏極歐姆接觸孔中設置有漏極歐姆電極； 第二介質層，設置在所述第一介質層、源極歐姆電極及漏極歐姆電極上； 下層介質層，設置在所述第二介質層上；所述下層介質層與所述第二介質層之間設置有一級場板；所述下層介質層的上表面設置有下級場板區域和上層介質區域；所述下層介質層設置有柵極設置通孔；所述下級場板區域處設置有下級場板； 上層介質層，與所述下層介質層直接連接，且位于所述上層介質區域處；在同等刻蝕條件下，所述下層介質層的刻蝕速度小于所述上層介質層的刻蝕速度；所述上層介質層上設置有上級場板；以及， 柵極金屬，設置在所述柵極設置通孔內，其頂部延伸至所述下層介質層之上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海鎵未來科技有限公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市橫琴新區環島東路3018號2309；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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