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龍圖騰網獲悉長鑫科技集團股份有限公司申請的專利半導體結構及封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119601561B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411787034.X，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體結構及封裝結構是由劉小平;黃銘輝;徐丹設計研發完成，并于2024-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及封裝結構在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體結構及封裝結構，涉及半導體技術領域。該半導體結構，包括：襯底，襯底具有相對的第一表面和第二表面，襯底包括第一區域和第二區域；第一互連層，第一互連層覆蓋襯底的第二表面；第一貫通孔，第一貫通孔位于襯底的第一區域內，且第一貫通孔貫穿襯底；第一絕緣層，第一絕緣層位于第一貫通孔內，第一絕緣層覆蓋第一貫通孔的側壁和第一互連層；第一電容結構，第一電容結構包括依次層疊的第一下電極層、第一介質層和第一上電極層，第一下電極層覆蓋第一絕緣層；第一焊盤和第二焊盤，第一焊盤和第二焊盤位于第一互連層背離襯底的一側；其中，第一焊盤與第一下電極層電連接，第二焊盤與第一上電極層電連接。根據本公開實施例，半導體結構能夠提高封裝基板中高頻電源噪聲的抑制效果。

本發明授權半導體結構及封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于， 包括： 襯底，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面，所述襯底包括第一區域和第二區域； 第一互連層，所述第一互連層覆蓋所述襯底的所述第二表面； 第一貫通孔，所述第一貫通孔位于所述襯底的所述第一區域內，且所述第一貫通孔貫穿所述襯底； 第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述第一貫通孔內，所述第一絕緣層覆蓋所述第一貫通孔的側壁和所述第一互連層； 第一電容結構，所述第一電容結構包括依次層疊的第一下電極層、第一介質層和第一上電極層，所述第一下電極層覆蓋所述第一絕緣層； 第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤位于所述第一互連層背離所述襯底的一側； 第一接觸插塞，至少部分所述第一接觸插塞位于所述第一表面的上方，且與所述第一上電極層電連接； 第二互連層，所述第二互連層在所述第一接觸插塞上方； 第二電容結構，位于所述襯底的所述第二區域內，所述第二電容結構包括依次層疊的第二下電極層、第二介質層和第二上電極層； 第三焊盤和第四焊盤，所述第三焊盤和所述第四焊盤位于所述第二互連層背離所述襯底的一側； 其中，所述第一焊盤與所述第一下電極層電連接，所述第二焊盤與所述第一上電極層電連接；所述第一電容結構在所述襯底上的正投影面積大于所述第二電容結構在所述襯底上的正投影面積。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫科技集團股份有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。