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龍圖騰網獲悉杭州睿昇半導體科技有限公司申請的專利基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119710941B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411915875.4，技術領域涉及：C30B33/10；該發明授權基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法是由丁鼎;陳敏堅;耿健;周長松設計研發完成，并于2024-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法在說明書摘要公布了：本發明公開了基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法，涉及半導體材料表面處理技術領域，包括在單晶硅基底表面涂覆光刻膠層，通過光刻工藝在所述光刻膠層形成預設圖形的掩膜；采用第一蝕刻液對所述單晶硅基底進行初步蝕刻；向所述第一蝕刻液中加入異丙醇添加劑，調節所述異丙醇添加劑的濃度為5?10wt%，繼續蝕刻所述單晶硅基底；用去離子水清洗所述單晶硅基底表面，隨后采用第二蝕刻液對所述單晶硅基底進行精細蝕刻；利用氮氣吹干所述單晶硅基底表面，得到具有預設圖形結構的單晶硅基底。本發明通過精確控制光刻和蝕刻工藝，實現了高精度、穩定性強的單晶硅基底預處理與圖形結構形成過程。

本發明授權基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法在權利要求書中公布了：1.一種基于多階段蝕刻的單晶硅表面處理方法，其特征在于：包括： 在單晶硅基底表面涂覆光刻膠層，通過光刻工藝在所述光刻膠層形成預設圖形的掩膜； 采用第一蝕刻液對所述單晶硅基底進行初步蝕刻； 向所述第一蝕刻液中加入異丙醇添加劑，調節所述異丙醇添加劑的濃度為5－10wt％，繼續蝕刻所述單晶硅基底； 用去離子水清洗所述單晶硅基底表面，隨后采用第二蝕刻液對所述單晶硅基底進行精細蝕刻； 利用氮氣吹干所述單晶硅基底表面，得到具有預設圖形結構的單晶硅基底； 所述初步蝕刻包括： 在蝕刻過程中，采用變頻調速的PTFE涂層攪拌槳以120±2rpm的轉速進行勻速攪拌，攪拌槳直徑為槽徑的13，距離槽底高度為槽深的14； 當檢測到蝕刻深度達到8－10μm時，結束蝕刻，并以2cmmin的速度將樣品提升出蝕刻液； 向所述第一蝕刻液中加入異丙醇添加劑包括： 將所述異丙醇添加劑以0.5±0.1mlmin的恒定滴加速率注入所述第一蝕刻液中，滴加位置位于攪拌槳下方2－3cm處；在滴加過程中，使用機械攪拌器以150rpm的轉速進行勻速攪拌，每滴加50ml異丙醇后暫停2分鐘，通過數字式密度計對混合液進行取樣檢測，記錄密度值變化曲線，當所述異丙醇添加劑的質量分數達到7.5±2.5wt％時，停止滴加； 繼續蝕刻所述單晶硅基底包括： 將單晶硅基底緩慢浸入通過所述異丙醇添加劑改性后的第一蝕刻液中，用攪拌器以120±5rpm的轉速進行持續攪拌，同時通過紅外測溫儀實時監控蝕刻液溫度，使得溫度波動不超過±2℃，并通過干涉條紋變化計算蝕刻深度； 當觀察到干涉條紋間距變化對應蝕刻深度增加4－5μm時，啟動自動提拉裝置，將所述單晶硅基底勻速提出蝕刻液； 采用改進的多參數耦合計算方法計算蝕刻深度： 首先，考慮溫度對折射率的影響，建立溫度修正的折射率計算公式： nT＝n0[1+αT-T0+βT-T02] 其中，nT為溫度T下的折射率，n0為標準溫度T0下的折射率，α和β分別為一階和二階溫度系數； 引入蝕刻液濃度對干涉條紋的影響因子： 其中，Δφ為相位差，λ為激光波長，h為蝕刻深度，CIPA為異丙醇濃度，γ為濃度影響系數； 進一步考慮條紋強度與深度的非線性關系： Ix,y＝I0[1+VcosΔφ+θx,y] 其中，Ix,y為干涉圖樣中點x,y處的光強，I0為背景光強，V為條紋可見度，θx,y為初始相位分布； 引入深度計算的修正方程： 其中，Kc為綜合校正系數： 其中，η1和η2為動態修正系數，ω為蝕刻過程的特征頻率，τ為系統特征時間常數； 最終的實時蝕刻深度通過時域積分獲得： 其中，Ht為t時刻的累積蝕刻深度，為實時蝕刻速率，λ為激光波長，h為蝕刻深度，nT為溫度T下的折射率，I0為背景光強，V為條紋可見度，γ為濃度影響系數，Kc為綜合校正系數，CIPA為異丙醇濃度，Ix,y為干涉圖樣中點x,y處的光強。

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