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龍圖騰網(wǎng)獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種LED芯片及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119584731B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411955642.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/82；該發(fā)明授權(quán)一種LED芯片及其制作方法是由段方方;劉偉;鄔新根設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種LED芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片通過設(shè)置外延疊層單元，外延疊層單元至少包括：從下至上依次層疊于襯底上的第一型半導(dǎo)體層、有源區(qū)以及第二型半導(dǎo)體層；其中,在第二型半導(dǎo)體層上表面的邊緣區(qū)域設(shè)有凹凸的微結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)可以做為絕緣保護(hù)層形成過程的成核點，以提高絕緣保護(hù)層的致密性及粘附性，有利于緩解LED芯片上表面邊緣區(qū)域的應(yīng)力集中以提升LED芯片的防水汽能力，進(jìn)而提高LED芯片的可靠性，其工藝制作簡單、便捷，便于生產(chǎn)化。

本發(fā)明授權(quán)一種LED芯片及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LED芯片，包括襯底及設(shè)置于所述襯底表面并通過切割道相互間隔排布的若干個LED發(fā)光單元，其特征在于，所述LED發(fā)光單元包括： 設(shè)置在所述襯底表面的外延疊層單元，所述外延疊層單元至少包括：從下至上依次層疊于所述襯底上的第一型半導(dǎo)體層、有源區(qū)以及第二型半導(dǎo)體層；在所述外延疊層單元背離所述襯底的一側(cè)具有顯露部分所述第一型半導(dǎo)體層的凹槽；其中，在所述第二型半導(dǎo)體層上表面的邊緣區(qū)域設(shè)有凹凸的微結(jié)構(gòu)； 在所述外延疊層單元上設(shè)置第一電極和第二電極：所述第一電極設(shè)置于所述凹槽的底部與所述第一型半導(dǎo)體層形成電連接，并與所述凹槽的側(cè)壁絕緣設(shè)置；所述第二電極設(shè)置于所述第二型半導(dǎo)體層背離所述有源區(qū)的一側(cè)并與所述第二型半導(dǎo)體層形成電連接，且所述第一電極和所述第二電極遠(yuǎn)離設(shè)置； 絕緣保護(hù)層，其覆蓋所述微結(jié)構(gòu)及所述外延疊層單元的裸露面，并顯露所述第一電極和所述第二電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廈門乾照光電股份有限公司，其通訊地址為：361101 福建省廈門市廈門火炬高新區(qū)(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。