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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利存儲器件/邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119947198B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510008760.5，技術領域涉及：H10D30/68；該發明授權存儲器件/邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法是由楊仕玲;馬雁飛設計研發完成，并于2025-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本存儲器件/邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種存儲器件邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法，不使用硬掩膜來形成U型溝槽，可避免半浮柵多晶硅隱沒在硬掩膜之間，可減小接觸窗口的刻蝕深寬比，第一半浮柵多晶硅不必回刻；而且，由于不使用硬掩膜來形成U型溝槽，在沉積第二半浮柵多晶硅后，第一有源區和X方向淺溝槽隔離上的半浮柵多晶硅沒有厚度差，浮柵多晶硅回刻前后邏輯區域和存儲區域的半浮柵多晶硅厚度一致，因此可以建立在線量測，并利用先進過程控制精確控制存儲區域的半浮柵多晶硅厚度刻蝕到目標厚度，能降低工藝難度進行量產。

本發明授權存儲器件/邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器件邏輯器件兼容的半浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： S1.提供半導體硅襯底100； 半導體硅襯底100由Y方向淺溝槽隔離102隔開成存儲區域103及邏輯區域104； 在存儲區域103，半導體硅襯底100由多條X方向淺溝槽隔離101隔開成多條X方向第一有源區105；X方向為同所述第一有源區的長度方向平行的方向，Y方向和X方向垂直； S2.在第一有源區105及X方向淺溝槽隔離101表面涂布第一光刻膠，進行Y方向開口光刻，刻蝕去除Y方向開口處的X方向第一有源區105的硅襯底上部，沿多對Y方向開口在各第一有源區105形成U型溝槽109，每對Y方向開口由X方向相鄰的兩道Y方向開口組成；然后去除第一光刻膠； S3.在第一有源區105上表面及U型溝槽109表面生成半浮柵介質層110； S4.沉積第一半浮柵多晶硅1201，第一半浮柵多晶硅1201將所述U型溝槽109完全填充； S5.在第一有源區105及X方向淺溝槽隔離101表面涂布第二光刻膠，光刻，刻蝕，在各對Y方向開口對應的U型溝槽的X方向外側的第一有源區105上去除設定寬度的半浮柵介質層110暴漏該處的第一有源區105，形成接觸窗口111；然后去除第二光刻膠； S6.沉積第二半浮柵多晶硅1202，第二半浮柵多晶硅1202填充接觸窗口111； S7.浮柵多晶硅回刻，將存儲區域103的半浮柵多晶硅厚度刻蝕到目標厚度，從而得到最終半浮柵多晶硅； S8.進行后續工藝。

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