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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國船舶集團(tuán)有限公司第七〇九研究所申請的專利氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119918411B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510050262.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/27；該發(fā)明授權(quán)氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)是由杜垚;崔乃東;費(fèi)亞龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)在說明書摘要公布了：本申請屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：獲取降壓式變換器的物理模型在每個(gè)采樣時(shí)刻下的多個(gè)目標(biāo)電參數(shù)信息；基于物理模型在每個(gè)采樣時(shí)刻下的多個(gè)目標(biāo)電參數(shù)信息，確定降壓式變換器的數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓；以最小化數(shù)學(xué)模型與物理模型在所有采樣時(shí)刻下對應(yīng)輸出電壓之間的偏差為目標(biāo)，基于數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓對數(shù)學(xué)模型輸出的氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻進(jìn)行迭代求解，得到待測氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電阻。通過本申請，可以便捷有效地實(shí)現(xiàn)氮化鎵開關(guān)器件導(dǎo)通電阻在電力電子系統(tǒng)中的在線辨識，且辨識精度高，辨識速度快。

本發(fā)明授權(quán)氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻辨識方法，其特征在于，包括： 獲取降壓式變換器的物理模型在每個(gè)采樣時(shí)刻下的多個(gè)目標(biāo)電參數(shù)信息；所述降壓式變換器為待測氮化鎵晶體管所處的電子器件； 基于所述物理模型在每個(gè)采樣時(shí)刻下的多個(gè)目標(biāo)電參數(shù)信息，確定所述降壓式變換器的數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓；所述降壓式變換器的數(shù)學(xué)模型是通過對所述降壓式變換器進(jìn)行離散建模所得到的； 以最小化所述數(shù)學(xué)模型與所述物理模型在所有采樣時(shí)刻下對應(yīng)輸出電壓之間的偏差為目標(biāo)，基于所述數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓對所述數(shù)學(xué)模型輸出的氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻進(jìn)行迭代求解，得到所述待測氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電阻； 其中，在所述基于所述物理模型在每個(gè)采樣時(shí)刻下的多個(gè)目標(biāo)電參數(shù)信息，確定所述降壓式變換器的數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓之前，所述方法還包括： 以所述降壓式變換器內(nèi)的電感電流和電容電壓為狀態(tài)變量，確定所述降壓式變換器的等效電路的目標(biāo)狀態(tài)空間傳遞函數(shù)； 利用龍格庫塔法，基于所述目標(biāo)狀態(tài)空間傳遞函數(shù)對所述降壓式變換器進(jìn)行離散建模，確定所述降壓式變換器的數(shù)學(xué)模型； 其中，所述以最小化所述數(shù)學(xué)模型與所述物理模型在所有采樣時(shí)刻下對應(yīng)輸出電壓之間的偏差為目標(biāo)，基于所述數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓對所述數(shù)學(xué)模型輸出的氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻進(jìn)行迭代求解，得到所述待測氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電阻，包括： 基于所述數(shù)學(xué)模型和所述物理模型在各個(gè)采樣時(shí)刻下輸出的氮化鎵晶體管電壓，確定第一輸出電壓偏差，并基于所述數(shù)學(xué)模型和所述物理模型在各個(gè)采樣時(shí)刻下輸出的負(fù)載電壓，確定第二輸出電壓偏差； 基于所述第一輸出電壓偏差和所述第二輸出電壓偏差，確定粒子群優(yōu)化算法的目標(biāo)適應(yīng)度函數(shù)； 以最小化所述目標(biāo)適應(yīng)度函數(shù)的適應(yīng)度值為目標(biāo)，將所述數(shù)學(xué)模型對應(yīng)輸出的電感電流和負(fù)載電壓輸入至所述粒子群優(yōu)化算法中，對所述數(shù)學(xué)模型輸出的氮化鎵晶體管導(dǎo)通電阻進(jìn)行迭代求解，得到所述待測氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電阻。

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