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龍圖騰網獲悉上海邦芯半導體科技有限公司申請的專利深硅刻蝕控制方法、深硅刻蝕控制系統及刻蝕設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120432433B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510558003.5，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權深硅刻蝕控制方法、深硅刻蝕控制系統及刻蝕設備是由李儉;王士京;王兆祥;胥沛雯;張名瑜設計研發完成，并于2025-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本深硅刻蝕控制方法、深硅刻蝕控制系統及刻蝕設備在說明書摘要公布了：本發明提供了一種深硅刻蝕控制方法、深硅刻蝕控制系統及刻蝕設備，以預設采樣頻率獲取Bosch工藝一個周期中沉積產物的光譜信號和刻蝕產物的光譜信號，對若干沉積產物的光譜信號求取均值，以得到若干沉積產物的光譜信號均值構成沉積產物光譜線，對若干刻蝕產物的光譜信號求取均值，以得到若干刻蝕產物的光譜信號均值構成刻蝕產物光譜線，根據求取兩條光譜線比值，以得到特征值，求取相對于目標比值的歸一化偏差，與預設參數進行對比，根據對比結果調整Bosch工藝下一個周期的控制參數，實現對Bosch工藝中控制參數的動態調整，實現更加精確的刻蝕，減少固定的鈍化和刻蝕切換時間、化學氣體流量和偏置功率所帶來的弊端。

本發明授權深硅刻蝕控制方法、深硅刻蝕控制系統及刻蝕設備在權利要求書中公布了：1.一種深硅刻蝕控制方法，其特征在于，應用于Bosch工藝，包括： 以預設采樣頻率獲取Bosch工藝一個周期中沉積產物的光譜信號和刻蝕產物的光譜信號； 將連續的若干所述沉積產物的光譜信號分為一組，且相鄰兩組所述沉積產物的光譜信號的共用若干所述沉積產物的光譜信號，對一組所述沉積產物的光譜信號求取均值，以得到若干沉積產物的光譜信號均值，若干所述沉積產物的光譜信號均值構成沉積產物光譜線； 將連續的若干所述刻蝕產物的光譜信號分為一組，且相鄰兩組所述刻蝕產物的光譜信號共用若干所述刻蝕產物的光譜信號，對一組所述刻蝕產物的光譜信號求取均值，以得到若干刻蝕產物的光譜信號均值，若干所述刻蝕產物的光譜信號均值構成刻蝕產物光譜線； 根據所述沉積產物光譜線和所述刻蝕產物光譜線求取比值，以得到特征值； 求取所述特征值相對于目標比值的歸一化偏差； 將所述歸一化偏差與預設參數進行對比，根據對比結果調整所述Bosch工藝下一個周期的控制參數。

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