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龍圖騰網(wǎng)獲悉寧波科星材料科技有限公司申請的專利一種無重稀土高矯頑力R-T-B磁體的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120299896B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510796502.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01F41/02；該發(fā)明授權(quán)一種無重稀土高矯頑力R-T-B磁體的制造方法是由夏滿龍;盧永剛;吳勇;潘道良設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種無重稀土高矯頑力R-T-B磁體的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種無重稀土高矯頑力R?T?B磁體的制造方法，涉及磁體技術(shù)領(lǐng)域，其技術(shù)方案要點(diǎn)包括由按質(zhì)量百分比為27.5?35.0wt%的R組分、0.8?0.95wt%的B組分、0?3wt%的M組分和作為余量的T組分組成的原料和擴(kuò)散料；所述M組分由0?2wt%的M1以及0?1wt%的M2組成，B與M2滿足如下式（1）：0.8＞B?M2＞0.2（1）；且M1為Cu、Al和Ga中的至少一種，M2為Nb、Zr和Ti中的至少一種；其中：所述擴(kuò)散料為PrX，X為至少一種元素；該制造方法包括將原料制備獲得R?T?B系燒結(jié)的磁體原材料，再向磁體原材料表面涂覆擴(kuò)散料，經(jīng)熱處理擴(kuò)散后獲得無重稀土高矯頑力R?T?B磁體。本發(fā)明具有在不添加重稀土的基礎(chǔ)上獲得矯頑力HcJ大于23kOe的無重稀土高矯頑力R?T?B磁體的效果。

本發(fā)明授權(quán)一種無重稀土高矯頑力R-T-B磁體的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種無重稀土高矯頑力R-T-B磁體的制造方法，其特征在于：包括由按質(zhì)量百分比為27.5-35.0wt%的R組分、0.8-0.95wt%的B組分、0-3wt%的M組分和作為余量的T組分組成的原料和擴(kuò)散料；所述M組分由0-2wt%的M1以及0-1wt%的M2組成，B與M2滿足如下式（1）： 0.8＞B-M2＞0.2（1）； 且M1為Cu、Al和Ga中的至少一種，M2為Nb、Zr和Ti中的至少一種；所述R組分包括Pr和Nd；所述T組分為Fe或Fe和Co； 其中： 所述擴(kuò)散料為PrX，X為至少一種元素； 該制造方法包括將原料制備獲得R-T-B系燒結(jié)的磁體原材料，再向磁體原材料表面涂覆擴(kuò)散料，所述擴(kuò)散料的單面涂覆量不小于所述磁體原材料質(zhì)量百分比的2%，經(jīng)熱處理擴(kuò)散后獲得無重稀土高矯頑力R-T-B磁體。

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