深圳天狼芯半導體有限公司喬凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳天狼芯半導體有限公司申請的專利一種終端結構的制備方法、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120379315B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510874380.X，技術領域涉及：H10D62/00；該發明授權一種終端結構的制備方法、芯片是由喬凱設計研發完成，并于2025-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種終端結構的制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于功率器件技術領域，提供了一種終端結構的制備方法、芯片，在N型碳化硅襯底的正面形成N型漂移區，在N型漂移區上形成主結，在主結的末端預設區域進行刻蝕形成尾部溝槽，使得尾部溝槽的第一側傾角小于16°，尾部溝槽的第二側壁延伸至芯片邊緣，其中，尾部溝槽的第一側與主結之間為場限環區域，從而僅需增加結終端擴展區和尾部溝槽的掩膜工藝下，結合場限環、結終端擴展區和溝槽結構，在保證器件耐壓性能的情況下，有效縮小終端長度，減少芯片的面積占用。
本發明授權一種終端結構的制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種終端結構的制備方法，其特征在于，所述終端結構的制備方法包括： 提供N型碳化硅襯底，并在所述N型碳化硅襯底的正面形成N型漂移區； 在所述N型漂移區上形成主結； 在場限環區域注入P型雜質形成場限環結構；其中，所述場限環結構包括多個間隔的場限環； 在所述場限環區域疊加注入P型雜質形成結終端擴展區； 在所述主結的末端預設區域進行刻蝕形成尾部溝槽；其中，所述結終端擴展區覆蓋所述場限環區域，并且延伸至所述尾部溝槽，通過多張掩膜和多次離子注入工藝使得所述結終端擴展區的摻雜濃度從主結向外逐漸降低，所述尾部溝槽的第一側壁傾角小于16°，所述尾部溝槽的第一側與所述主結之間為所述場限環區域；其中，所述第一側壁傾角為所述尾部溝槽的第一側壁與所述N型漂移區的水平面之間的夾角，通過所述尾部溝槽截斷所述結終端擴展區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳天狼芯半導體有限公司，其通訊地址為：518063 廣東省深圳市南山區粵海街道高新區社區科技南路18號深圳灣科技生態園12棟裙樓904-905；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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