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龍圖騰網獲悉福建金石能源有限公司申請的專利一種聯合鈍化背接觸電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120456654B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510961803.1，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種聯合鈍化背接觸電池及其制備方法是由林朝暉;皮文慧;林楷睿;張超華;林錦山;鄭少斌設計研發完成，并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種聯合鈍化背接觸電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于背接觸電池技術領域，具體涉及一種聯合鈍化背接觸電池及其制備方法，包括如下步驟：S4、在第一半導體層上沉積掩膜層，掩膜層包含依次形成的摻雜非晶層、氮化硅膜層，其中摻雜非晶層的摻雜元素為N或C；S5、形成間隔排布的第二半導體開口區；S6、制絨清洗，同時在硅片正面及第二半導體開口區上形成絨面，并去除部分厚度的掩膜層；S7、在硅片正面依次沉積鈍化層、減反層；S8、二次清洗，以去除S7過程中在背面自然形成的繞鍍層，之后回洗；S9、在S8所得背面沉積第二半導體層。本發明能夠將背面的繞鍍膜層完全被去除干凈，從而提高了電池的開路電壓和短路電流，進而提升電池效率。

本發明授權一種聯合鈍化背接觸電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種聯合鈍化背接觸電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S1、提供雙面拋光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半導體層，第一半導體層包含依次形成的第一隧穿氧化層和第一摻雜多晶硅膜層； S3、清洗去除S2中自然形成在第一半導體層表面的磷硅玻璃層； S4、在第一半導體層上沉積掩膜層，掩膜層包含依次形成的摻雜非晶層、氮化硅膜層，其中摻雜非晶層的摻雜元素為N或C； S5、在S4所得背面的第一半導體層及其對應掩膜層上進行第一次刻蝕開口，形成間隔排布的第二半導體開口區； S6、制絨清洗，同時在硅片正面及第二半導體開口區上形成絨面，并去除部分厚度的掩膜層，掩膜層的去除厚度為S4掩膜層的總厚度的20%-60%； S7、在硅片正面依次沉積鈍化層、減反層； S8、二次清洗，以去除S7過程中在背面自然形成的繞鍍層，之后回洗；二次清洗的過程包括：先采用含氫氟酸水溶液去除減反層繞鍍層，會同時去除剩余掩膜層中的氮化硅膜層，再采用質量濃度為0.1%-1%的低濃度堿溶液去除鈍化層繞鍍層，并控制硅片背面減薄量在0.1-1μm，之后進行回洗； S9、在S8所得背面沉積第二半導體層，第二半導體層包括依次形成的本征非晶硅層與第二摻雜硅層；本征非晶硅層的厚度減薄至5-10nm，第二摻雜硅層的厚度減薄至5-15nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建金石能源有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市經濟開發區(五里園)泉源路17號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。