華辰芯光(無錫)半導體有限公司向磊獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華辰芯光(無錫)半導體有限公司申請的專利一種單模高功率邊發(fā)射激光器及制備方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN120601248B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202511099670.8,技術領域涉及:H01S5/065;該發(fā)明授權一種單模高功率邊發(fā)射激光器及制備方法是由向磊;魏明設計研發(fā)完成,并于2025-08-07向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本一種單模高功率邊發(fā)射激光器及制備方法在說明書摘要公布了:本申請涉激光器的技術領域,尤其是涉及一種單模高功率邊發(fā)射激光器及制備方法,包括P面結(jié)構層、有源區(qū)和N面結(jié)構層,所述P面結(jié)構層上設有單模過濾區(qū),所述單模過濾區(qū)在水平橫向方向的兩側(cè)設有單模增強區(qū),所述單模增強區(qū)在水平豎向的兩側(cè)設有高階模式耦合區(qū),所述單模增強區(qū)遠離單模過濾區(qū)的一側(cè)設有單模放大區(qū),所述P面結(jié)構層上開設有貫穿單模過濾區(qū)、單模增強區(qū)和單模放大區(qū)的開口。單模放大區(qū)可以增大增益進行單模功率的放大,相當于單模功率放大結(jié)構,因為有單模過濾區(qū)和單模增強區(qū)的橫向尺寸限制以及模式過濾功能,所以不用擔心高階模式激射。
本發(fā)明授權一種單模高功率邊發(fā)射激光器及制備方法在權利要求書中公布了:1.一種單模高功率邊發(fā)射激光器,其特征在于:包括P面結(jié)構層1、有源區(qū)2和N面結(jié)構層3,P面結(jié)構層1上表面包括有水平橫向的長度方向以及水平豎向的寬度方向,所述P面結(jié)構層1上設有用于過濾激光形成單模激光的單模過濾區(qū)4,所述單模過濾區(qū)4在水平橫向方向的兩側(cè)設有用于抑制激光高階模式的單模增強區(qū)5,所述單模增強區(qū)5的寬度大于單模過濾區(qū)4的寬度,所述單模增強區(qū)5在水平豎向的兩側(cè)設有用于干擾激光高階模式的傳播常數(shù)和耦合強度的高階模式耦合區(qū)6,所述高階模式耦合區(qū)6為無源結(jié)構,所述單模增強區(qū)5遠離單模過濾區(qū)4的一側(cè)設有用于對激光單模功率進行放大的單模放大區(qū)7,所述單模放大區(qū)7的寬度大于單模增強區(qū)5的寬度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E5%8D%8E%E8%BE%B0%E8%8A%AF%E5%85%89%28%E6%97%A0%E9%94%A1%29%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">華辰芯光(無錫)半導體有限公司,其通訊地址為:214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)錫梅路111-10號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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