中芯北方集成電路制造(北京)有限公司蔡巧明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯北方集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551562B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011332682.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蔡巧明設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件區和用于形成第二器件的第二器件區，第一器件的溝道長度大于第二器件的溝道長度；在基底上形成多晶硅柵極層，第一器件區的多晶硅柵極層包括底部多晶硅柵極層和凸出于底部多晶硅柵極層的多個頂部多晶硅柵極層；在多晶硅柵極層側部的基底上形成層間介質層，層間介質層還覆蓋底部多晶硅柵極層，并露出第二器件區的多晶硅柵極層頂部；去除第二器件區的多晶硅柵極層形成柵極開口；在柵極開口中形成金屬柵極層。本發明在第一器件區形成指狀的多晶硅柵極層，從而在形成金屬柵極層的過程中，有利于改善第一器件區的多晶硅柵極層的頂面凹陷問題。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，包括用于形成第一器件的第一器件區和用于形成第二器件的第二器件區，所述第一器件的溝道長度大于所述第二器件的溝道長度； 隔離結構，位于所述基底中； 第一柵極層，位于所述第二器件區的基底上，所述第一柵極層為金屬柵極材料； 指狀的第二柵極層，位于所述第一器件區的基底上且位于所述隔離結構之間，所述第二柵極層包括底部多晶硅柵極層以及凸出于所述底部多晶硅柵極層的多個頂部柵極層； 層間介質層，位于所述第一柵極層和第二柵極層側部的基底上，所述層間介質層覆蓋所述第一柵極層和第二柵極層的側壁，并覆蓋所述頂部柵極層露出的底部多晶硅柵極層頂部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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