買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114551335B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011334080.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由劉睿;陳蓉峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：襯底，襯底包括基底和器件結(jié)構(gòu)；位于器件結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電層；位于導(dǎo)電層上的復(fù)合層，復(fù)合層包括第一膜層；位于襯底上的介質(zhì)層，介質(zhì)層內(nèi)具有第一開口；位于第一膜層內(nèi)的第二開口，第二開口的側(cè)壁相對(duì)于第一開口的側(cè)壁凹陷；位于第一開口和第二開口內(nèi)的導(dǎo)電插塞。通過第二開口的側(cè)壁相對(duì)于第一開口的側(cè)壁凹陷，在平坦化處理形成導(dǎo)電插塞的過程中，能夠有效增加平坦化處理溶液的流經(jīng)路徑，進(jìn)而減小平坦化處理溶液對(duì)導(dǎo)電層的刻蝕損傷；另外，還可以使得導(dǎo)電插塞在第二開口內(nèi)的生長受到限制，進(jìn)而使得導(dǎo)電插塞在第二開口形成的結(jié)構(gòu)更為致密，進(jìn)一步的減小平坦化處理溶液流向?qū)щ妼釉斐蓳p傷。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括基底以及位于所述基底上的器件結(jié)構(gòu)； 位于所述器件結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電層； 位于所述導(dǎo)電層上的至少一層復(fù)合層，所述復(fù)合層包括位于所述導(dǎo)電層上的第一膜層； 位于所述襯底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述器件結(jié)構(gòu)和所述復(fù)合層，所述介質(zhì)層內(nèi)具有第一開口； 位于所述第一膜層內(nèi)的第二開口，所述第二開口的側(cè)壁相對(duì)于所述第一開口的側(cè)壁凹陷； 位于所述第一開口和所述第二開口內(nèi)的導(dǎo)電插塞；其中， 所述第二開口的側(cè)壁相對(duì)于所述第一開口的側(cè)壁凹陷用于在平坦化處理形成所述導(dǎo)電插塞的過程中，增加平坦化處理溶液的流經(jīng)路徑減小平坦化處理溶液對(duì)所述導(dǎo)電層的刻蝕損傷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。