國際商業機器公司A·雷茲尼塞克獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉國際商業機器公司申請的專利用于MRAM的大晶粒銅互連線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115004395B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180011235.9，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權用于MRAM的大晶粒銅互連線是由A·雷茲尼塞克;O·格魯申克夫;Y·蘇勒里亞;D·西爾設計研發完成，并于2021-01-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于MRAM的大晶粒銅互連線在說明書摘要公布了：在用作MRAM位的磁性隧道勢壘支柱上方形成大晶粒金屬位線，而不會實質上影響磁性隧道勢壘的磁性性質。在柱上形成具有相對小晶粒的銅或銅合金位線。使用激光退火來熔化位線。隨后的冷卻和再結晶導致位線中晶界數目的減少和位線有效電阻率的減少。可以使用多個熔化冷卻循環。位線晶粒與所得結構中的柱豎直對準。
本發明授權用于MRAM的大晶粒銅互連線在權利要求書中公布了：1.一種形成用于電子結構的大晶粒銅位線的方法，包括： 獲得MRAM結構，其包括： 器件晶片，包括電子器件； 金屬化層，位于所述器件晶片上方并且包括在所述金屬化層中的底電極，所述底電極被電連接到所述電子器件；以及 豎直柱，在所述金屬化層上方具有側壁，所述豎直柱各自包含磁性隧道勢壘以及頂電極； 在所述頂電極上方形成呈現銅線尺寸效應的銅位線，所述銅位線具有四十納米或更小的寬度、三千平方納米或更小的面積、以及相對于所述銅位線的寬度具有相對小尺寸的銅晶粒； 對所述銅位線進行激光退火，從而熔化所述銅位線；以及 在所述激光退火后的冷卻期間再結晶所述銅位線，從而在所述銅位線中形成相對大的晶粒，并且減少形成在所述頂電極上方的所述銅位線的所述銅線尺寸效應。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人國際商業機器公司，其通訊地址為：美國紐約阿芒克；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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