中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114792729B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110099857.3，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2021-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中半導體結構包括：襯底；襯底上的鰭部；橫跨鰭部的柵極結構；側墻，位于部分柵極結構的側壁上，且頂部表面低于柵極結構的頂部表面；介質層，位于柵極結構露出的襯底和鰭部上；第一開口，沿垂直于柵極結構延伸方向的方向貫穿柵極結構；第二開口，位于柵極結構兩側，且與第一開口連通；第三開口，位于柵極結構兩側，底部暴露出側墻的頂部表面，與第二開口連通，第二開口位于第三開口與第一開口之間，且深度大于第三開口的深度；隔離結構，填充部分第一開口、第二開口以及第三開口，在第一開口、第二開口以及第三開口內圍成孔洞。本發明實施例提供的半導體結構，有利于減小寄生電容，提高半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底上形成有若干相互分立的鰭部； 柵極結構，位于所述襯底上且橫跨所述鰭部； 側墻，位于部分所述柵極結構的側壁上，所述側墻的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面； 介質層，位于所述柵極結構露出的所述襯底和所述鰭部上； 第一開口，位于所述介質層內，所述第一開口沿垂直于所述柵極結構延伸方向的方向貫穿所述柵極結構； 第二開口，位于所述柵極結構兩側，且與所述第一開口連通； 第三開口，位于所述柵極結構兩側，所述第三開口底部暴露出所述側墻的頂部表面，所述第三開口與所述第二開口連通，所述第二開口位于所述第三開口與所述第一開口之間，且所述第二開口的深度大于所述第三開口的深度； 隔離結構，填充部分所述第一開口、第二開口以及第三開口，在所述第一開口、第二開口以及第三開口內圍成孔洞。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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