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龍圖騰網獲悉艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司申請的專利用于選擇半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115039240B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180013192.8，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權用于選擇半導體器件的方法是由亞歷山大·F·普福伊費爾設計研發完成，并于2021-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于選擇半導體器件的方法在說明書摘要公布了：提出一種用于選擇半導體器件20的方法。在步驟A中提供供體襯底1，所述供體襯底具有犧牲層12、設置在其上的連接層13和多個設置在犧牲層12上的半導體器件20。連接層13將犧牲層12至少局部地完全穿透，使得每個半導體器件20至少局部地與連接層13直接接觸。在另一步驟B中，實施用于識別有故障的半導體器件20A的選擇方法。另一步驟C包括將覆蓋層30選擇性地施加到有故障的半導體器件20A和至少一個與其直接相鄰的半導體器件20和在其之間露出的中間區域30A上。在另一步驟D中，將犧牲層12選擇性地蝕刻，其中覆蓋層30減少或避免犧牲層12在中間區域30A中的蝕刻。在步驟E中，將半導體器件20從供體襯底1取下，其中有故障的半導體器件20A和至少直接相鄰地設置的半導體器件20留在供體襯底1上。

本發明授權用于選擇半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于選擇半導體器件20的方法，所述方法包括以下步驟： A提供供體襯底1，所述供體襯底具有犧牲層12、設置在所述犧牲層12上的連接層13和多個半導體器件20，所述半導體器件設置在所述犧牲層12上，其中 -所述連接層13至少局部地完全穿透所述犧牲層12，使得每個半導體器件20至少局部地與所述連接層13直接接觸； B實施用于識別有故障的半導體器件20A的選擇方法； C將覆蓋層30選擇性地施加到有故障的半導體器件20A和至少一個與所述有故障的半導體器件20A直接相鄰地設置的半導體器件20和在這些半導體器件之間露出的中間區域30A上； D將所述犧牲層12選擇性地蝕刻，其中所述覆蓋層30減少或避免所述犧牲層12在所述中間區域30A中的蝕刻，以及 E將半導體器件20從所述供體襯底1取下，其中所述有故障的半導體器件20A留在所述供體襯底1上， 其中所述連接層13包括芯層130和中間層131，其中所述中間層131設置在所述芯層130和所述半導體器件20之間，使得避免所述半導體器件20與所述芯層130的直接接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司，其通訊地址為：德國雷根斯堡；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。