豐田自動車株式會社旦野克典獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉豐田自動車株式會社申請的專利半導體裝置以及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115602703B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210765593.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法是由旦野克典;莊司哲也設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。本公開的半導體裝置具有：n型氧化鎵半導體層，具有中央區域以及施主密度比所述中央區域低的周邊區域；電極層，層疊于所述n型氧化鎵半導體層之上，并且在從層疊方向觀察時，在所述中央區域中與所述n型氧化鎵半導體層形成肖特基結；以及第一p型氧化鎳半導體層，以部分地配置于所述n型氧化鎵半導體層與所述電極層之間的方式層疊于所述n型氧化鎵半導體層之上，并且在從層疊方向觀察時，所述周邊區域側的外周端部處于所述周邊區域。
本發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具有： n型氧化鎵半導體層，具有中央區域以及施主密度比所述中央區域低的周邊區域； 電極層，層疊于所述n型氧化鎵半導體層之上，并且在從層疊方向觀察時，在所述中央區域中與所述n型氧化鎵半導體層形成肖特基結；以及 第一p型氧化鎳半導體層，以部分地配置于所述n型氧化鎵半導體層與所述電極層之間的方式層疊于所述n型氧化鎵半導體層之上，并且在從層疊方向觀察時，所述周邊區域側的外周端部處于所述周邊區域， 其中，在從層疊方向觀察時，所述第一p型氧化鎳半導體層跨越所述中央區域和所述周邊區域地配置。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人豐田自動車株式會社，其通訊地址為：日本愛知縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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