湘潭大學郝國林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湘潭大學申請的專利一種大面積硫化鈀或/和二硫化鈀納米薄膜的制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115874151B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211050004.1,技術領域涉及:C23C14/30;該發明授權一種大面積硫化鈀或/和二硫化鈀納米薄膜的制備方法是由郝國林;高慧;郝玉龍;肖金彪;賀力員設計研發完成,并于2022-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種大面積硫化鈀或/和二硫化鈀納米薄膜的制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種大面積硫化鈀或和二硫化鈀納米薄膜的制備方法。采用電子束蒸發鍍膜與化學氣相沉積方法,通過改變預沉積的鈀金屬納米薄膜厚度,可以實現硫化鈀、二硫化鈀或硫化鈀與二硫化鈀的混合相納米薄膜的可控制備。包括:一、使用電子束蒸發鍍膜儀,將不同厚度的鈀金屬納米薄膜蒸鍍至二氧化硅基底。二、將硫粉置于管式爐第一溫區,生長基底置于第二溫區,利用常壓化學氣相沉積方法進行大面積硫化鈀、二硫化鈀或硫化鈀與二硫化鈀的混合相納米薄膜的可控生長。硫化鈀與二硫化鈀納米薄膜因其獨特的物理與化學性質在多種工業和技術領域有廣泛應用前景,如可用于催化劑,耐酸高溫電極,太陽能電池等。本發明能夠實現硫化鈀、二硫化鈀或硫化鈀與二硫化鈀的混合相納米薄膜的工業化生產。
本發明授權一種大面積硫化鈀或/和二硫化鈀納米薄膜的制備方法在權利要求書中公布了:1.一種大面積硫化鈀或和二硫化鈀納米薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 1)將不同厚度的鈀金屬納米薄膜通過電子束蒸發鍍膜儀蒸鍍至基底; 2)將裝有硫粉的氧化鋁舟放至第一溫區加熱中心,蒸鍍有鈀的二氧化硅基底置于雙溫區管式爐的第二溫區加熱中心; 3)向管式爐內的反應腔內通入氬氣進行清洗; 4)升高管式爐溫度,使第一溫區溫度升溫至200℃-300℃,第二溫區溫度升溫至400℃-600℃,進行硫化; 5)生長結束后,溫度自然冷卻至室溫,關閉氬氣,獲得硫化鈀或和二硫化鈀納米薄膜; 其中,當基底蒸鍍厚度為1納米的鈀金屬薄膜時,硫化產物為純的二硫化鈀;基底蒸鍍厚度為2納米的鈀金屬薄膜時,硫化產物為二硫化鈀與硫化鈀的混合相薄膜,二硫化鈀與硫化鈀的面積占比為40%~60%:60%~50%;基底蒸鍍厚度為4納米的鈀金屬薄膜時,硫化產物為二硫化鈀與硫化鈀的混合相薄膜,二硫化鈀與硫化鈀的面積占比為1%~3%:99%~97%;基底蒸鍍厚度為10納米的鈀金屬薄膜時,硫化產物為純的硫化鈀薄膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人湘潭大學,其通訊地址為:411105 湖南省湘潭市雨湖區羊牯塘27號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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