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龍圖騰網(wǎng)獲悉華南師范大學申請的專利一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管及制備方法和應用獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN118380477B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202410484526.5，技術領域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管及制備方法和應用是由李述體;石宇豪;李國新;陳坤;高芳亮設計研發(fā)完成，并于2024-04-22向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管及制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管及制備方法和應用，其包括襯底、外延層和電極，外延層包括依次層疊的緩沖層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層和極化結，極化結由輕摻雜p?GaN層和重摻雜p?GaN層組成，極化結的表面設置有歐姆陽極，外延層的兩側設置有陽極凹槽和陰極凹槽，凹槽沿極化結的表面延伸至AlGaN勢壘層中一定深度，低功函數(shù)肖特基陽極和高功函數(shù)肖特基陽極設置于陽極凹槽中，歐姆陰極設置于陰極凹槽中，本發(fā)明結合了極化結結構和雙陽極結構，使得器件的正向特性和反向特性取得了很好的平衡，器件內(nèi)部的電場得以重新分布，擊穿電壓提高，開啟電壓和導通電阻降低，并且抑制了漏電流。

本發(fā)明授權一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管及制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種極化結和雙陽極結構的肖特基二極管，其特征在于，包括設置于襯底上的外延層以及電極； 所述外延層包括依次層疊的緩沖層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層和極化結；所述極化結由輕摻雜p-GaN層和重摻雜p-GaN層層疊而成，所述輕摻雜p-GaN層與所述AlGaN勢壘層接觸，所述外延層的兩側設置有陽極凹槽和陰極凹槽，所述凹槽沿外延層的表面延伸至AlGaN勢壘層中一定深度； 所述電極包括低功函數(shù)肖特基陽極、高功函數(shù)肖特基陽極、歐姆陽極和歐姆陰極，所述低功函數(shù)肖特基陽極和所述高功函數(shù)肖特基陽極設置于所述陽極凹槽中，與所述AlGaN勢壘層接觸，所述歐姆陽極位于所述極化結上，所述高功函數(shù)肖特基陽極覆蓋所述低功函數(shù)肖特基陽極，并延伸至所述歐姆陽極的表面；所述歐姆陰極設置于所述陰極凹槽中，與所述AlGaN勢壘層接觸，所述高功函數(shù)肖特基陽極及所述歐姆陽極與所述歐姆陰極之間設置有鈍化層，所述鈍化層還位于所述極化結與所述歐姆陰極之間； 其中，所述低功函數(shù)肖特基陽極和所述勢壘層接觸的面積與所述低功函數(shù)肖特基陽極、所述高功函數(shù)肖特基陽極和所述勢壘層接觸的總面積之比在0.2至0.8之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人華南師范大學，其通訊地址為：510635 廣東省廣州市天河區(qū)中山大道西55號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。