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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學(xué)申請的專利一種寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118315430B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202410483433.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/63；該發(fā)明授權(quán)一種寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件是由易波;徐藝;錢凌軒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-04-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種集成異質(zhì)結(jié)二極管的異質(zhì)異構(gòu)型寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件，用于解決超寬禁帶半導(dǎo)體Ga2O3無P型摻雜導(dǎo)致的無法制作大功率的常關(guān)型反型層溝道MOSFET器件的技術(shù)瓶頸。解決現(xiàn)有Ga2O3的Fin?gate技術(shù)溝道遷移率低、工藝要求高，以及解決現(xiàn)有4H?SiCMOSFET器件和GaN、AlGaN甚至AlN構(gòu)成的MOSFET的溝道遷移率低的問題。并且，解決上述MOSFET反向?qū)▔航蹈叩募夹g(shù)難題。通過利用重?fù)诫s的異質(zhì)P型NiO或者SnO2等易制作的低成本寬禁帶半導(dǎo)體或者和耐壓層同質(zhì)的P型半導(dǎo)體材料形成對具有較低擊穿電場的異質(zhì)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的反型層溝道區(qū)以及柵氧化層的電場保護(hù)，保證了擊穿發(fā)生在耐壓層而非異質(zhì)半導(dǎo)體材料的P型溝道區(qū)，從而在不影響材料高擊穿特性的情況下，實(shí)現(xiàn)各類具有低溝道電阻的常關(guān)型反型層MOSFET器件。同時(shí)，重?fù)诫s的異質(zhì)P型NiO或者SnO2等材料和耐壓層構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)二極管或者異質(zhì)的P型溝道區(qū)和耐壓層構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)二極管具有低反向?qū)▔航岛蛦螛O性導(dǎo)電特性，利于降低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗。

本發(fā)明授權(quán)一種寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成異質(zhì)結(jié)二極管的異質(zhì)異構(gòu)型寬禁帶和超寬禁帶槽柵MOSFET器件元胞，包括： 第一種半導(dǎo)體材料的襯底1，設(shè)置于襯底1上的第一種半導(dǎo)體材料的N型耐壓層2；位于第一種半導(dǎo)體材料的N型耐壓層2之上設(shè)置有第二種半導(dǎo)體材料的P型半導(dǎo)體溝道區(qū)11，所述第二種半導(dǎo)體材料的P型半導(dǎo)體溝道區(qū)11之上設(shè)置有第三種半導(dǎo)體材料的N型重?fù)诫s源極區(qū)6；設(shè)置于元胞表面中間位置的槽柵區(qū)域，所述槽柵區(qū)域深入第一種半導(dǎo)體材料的耐壓層2，所述槽柵區(qū)域包括槽內(nèi)介質(zhì)層10，介質(zhì)層10內(nèi)設(shè)置有柵極導(dǎo)體4，槽柵區(qū)域兩側(cè)分別設(shè)置有深入半導(dǎo)體耐壓層2內(nèi)的槽，所述槽內(nèi)表面覆蓋有第四種半導(dǎo)體材料的P型半導(dǎo)體區(qū)域3，所述介質(zhì)層10還覆蓋了槽兩側(cè)部分第三種半導(dǎo)體材料的N型重?fù)诫s源極區(qū)6表面，所述柵極導(dǎo)體4以及位于第三種半導(dǎo)體材料的N型重?fù)诫s源極區(qū)6表面的介質(zhì)層10上覆蓋有隔離介質(zhì)層7，所述介質(zhì)隔離層7表面、槽內(nèi)第四種半導(dǎo)體材料的P型半導(dǎo)體區(qū)3表面以及第三種半導(dǎo)體材料的N型重?fù)诫s源極區(qū)6上設(shè)置有歐姆接觸金屬8，所述襯底1底部設(shè)置有漏極歐姆接觸金屬9； 其特征在于，所述第一種半導(dǎo)體材料和所述第二種半導(dǎo)體材料為不同材料；所述第三種半導(dǎo)體材料和所述第二種半導(dǎo)體材料為同一種半導(dǎo)體材料，或者所述第三種半導(dǎo)體材料和所述第二種半導(dǎo)體材料為不同半導(dǎo)體材料，所述第三種半導(dǎo)體材料的N型摻雜濃度在1×1018cm-3以上；所述第四種半導(dǎo)體材料的P型半導(dǎo)體區(qū)域3與所述第一種半導(dǎo)體材料的N型耐壓層2為不同材料，其P型摻雜一般在1×1018cm-3以上，二者構(gòu)成第一種異質(zhì)結(jié)二極管；所述第一種半導(dǎo)體材料構(gòu)成的N型耐壓層2和所述第二種半導(dǎo)體材料構(gòu)成的P型溝道區(qū)11形成第二種異質(zhì)結(jié)二極管。

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