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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽大學申請的專利10T-SRAM單元、雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路及其芯片獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119091943B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411210019.9，技術領域涉及：G11C11/412；該發(fā)明授權10T-SRAM單元、雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路及其芯片是由藺智挺;宋小鳳;王鑫;李婧怡;宇世辰;李鑫;劉玉;彭春雨;吳秀龍;胡薇;戴成虎;趙強;郝禮才;盧文娟;周永亮設計研發(fā)完成，并于2024-08-30向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本10T-SRAM單元、雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路及其芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種10T?SRAM單元、雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路及其芯片。10T?SRAM單元由P1～P2和N1～N8構成。其中，P1、P2、N1～N4構成6T存儲單元，剩余器件構成配置電路。N5和N6的柵極分別連接在6T存儲單元中的存儲節(jié)點Q和QB上；N7和N8的柵極分別接控制信號SL和SR；N5的漏極與N7的源極相連；N8的源極與N6的漏極相連；N5、N6的源極連接在傳遞信號線TL上，N7、N8的漏極連接在標志信號線ML上。將多個10T?SRAM陣列排布，同行中相鄰單元的TL和ML相連則構成雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路。本發(fā)明的電路同時具備數(shù)據(jù)存儲，雙通道數(shù)據(jù)讀以及內(nèi)容尋址功能；電路簡單卻功能強大，可以克服現(xiàn)有電路的效率和功耗缺陷。

本發(fā)明授權10T-SRAM單元、雙通道讀與內(nèi)容尋址的邏輯電路及其芯片在權利要求書中公布了：1.一種10T-SRAM單元，其具有雙通道數(shù)據(jù)讀取以及內(nèi)容尋址的功能，其特征在于，其由2個PMOS管P1～P2和8個NMOS管N1～N8構成；其中，P1、P2、N1～N4構成6T存儲單元，并支持實現(xiàn)包含數(shù)據(jù)讀、寫、保持的數(shù)據(jù)存儲功能；剩余的N5～N8構成配置電路，所述配置電路用于實現(xiàn)對6T存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)進行內(nèi)容查詢，并提供另一個數(shù)據(jù)讀取通道； 其中，所述配置電路的電路連接關系如下： N5和N6的柵極分別連接在6T存儲單元中的存儲節(jié)點Q和QB上；N7和N8的柵極分別接控制信號SL和SR；N5的漏極與N7的源極相連；N8的源極與N6的漏極相連；N5、N6的源極連接在傳遞信號線TL上，N7、N8的漏極連接在標志信號線ML上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)九龍路111號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。