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龍圖騰網(wǎng)獲悉宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司申請(qǐng)的專利一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223378169U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202422523506.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/495；該實(shí)用新型一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊是由張崇;王志超;柏治國(guó);趙冬;夏良兵;王新哲;夏爽;劉雪川設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-10-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊在說(shuō)明書摘要公布了：本實(shí)用新型涉及功率模塊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊。其技術(shù)方案包括外殼，所述外殼內(nèi)固定有基板，所述基板的底部焊接有散熱器，所述基板的頂部分別安裝有信號(hào)端子、功率端子和開關(guān)元件，所述基板為兩塊，兩塊基板電性連接，所述基板由依次連接的正面導(dǎo)電金屬銅層、中間陶瓷絕緣層和背面金屬銅層組成，正面導(dǎo)電金屬銅層連接有鍵合線和芯片，鍵合線的一端與芯片連接，所述中間陶瓷絕緣層為氧化鋁板、氮化硅板和氮化鋁板中的任一種，所述外殼的頂部固定連接有絕緣蓋板。本實(shí)用新型通過對(duì)基板進(jìn)行優(yōu)化布局和門極電阻調(diào)整連接方式，使其降低寄生電感和熱阻，提高開關(guān)速率、功率輸出能力及模塊可靠性。

本實(shí)用新型一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種并聯(lián)多芯片均流大功率全橋SiC模塊，包括外殼（1），其特征在于，所述外殼（1）內(nèi)固定有基板（3），所述基板（3）的底部焊接有散熱器（2），所述基板的頂部分別安裝有信號(hào)端子（4）、功率端子（5）和開關(guān)元件（8），所述開關(guān)元件（8）分別電性連接有焊接于基板（3）上的門極電阻（9）和熱敏電阻NTC（10），基板（3）的正面導(dǎo)電金屬銅層（301）包括電流輸入?yún)^(qū)一（3011）和電流輸入?yún)^(qū)二（3013），電流輸入?yún)^(qū)一（3011）和電流輸入?yún)^(qū)二（3013）之間設(shè)置有電流輸出區(qū)（3012），所述導(dǎo)電金屬銅層（301）的底部設(shè)置有交流輸出區(qū)（3014）；電流輸出區(qū)（3012）的下方依次設(shè)置有開爾文源極區(qū)一（3015）和門極區(qū)一（3016）；所述有交流輸出區(qū)（3014）的上方設(shè)置開爾文源極區(qū)二（3017）和門極區(qū)二（3018），電流輸入?yún)^(qū)二（3013）的一側(cè)設(shè)置有熱敏電阻區(qū)（3019）。

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