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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專利一種外延爐腔體的金屬含量控制方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119221111B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411770221.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/324；該發(fā)明授權(quán)一種外延爐腔體的金屬含量控制方法是由雷金澌;付成辛;刁睿;楊偉;楊金峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種外延爐腔體的金屬含量控制方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，包括以下階段：清潔階段，去除腔體內(nèi)殘留物質(zhì)；先在腔體內(nèi)通入氣體去除灰塵和雜質(zhì)殘留，然后加熱元件用于去除基底表面的有機(jī)物和水分，完成上述步驟后保持腔體內(nèi)溫度和壓力穩(wěn)定，最后在刻蝕步驟中去除基底表面的殘留物質(zhì)；涂覆階段，在基座表面生長一層厚度可控的硅層；先在腔體內(nèi)通入氣體去除殘留物質(zhì)，完成上述步驟后保持腔體內(nèi)溫度和壓力穩(wěn)定，最后在涂覆步驟中令基座表面生成一層厚度可控的硅層；冷卻階段，確保腔體溫度在25℃；先在腔體內(nèi)通入氣體去除殘留物質(zhì)，然后將基底溫度降至25℃。通過優(yōu)化刻蝕步驟和涂覆步驟，改善外延片金屬超標(biāo)的問題，從而提高外延片的質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)一種外延爐腔體的金屬含量控制方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種外延爐腔體的金屬含量控制方法，其特征是，包括以下階段： S100、第一階段清潔，去除腔體內(nèi)殘留物質(zhì)；先在腔體內(nèi)通入氣體去除灰塵和雜質(zhì)殘留，然后加熱元件逐漸升高至一定溫度用于去除基底表面的有機(jī)物和水分，待基底表面的有機(jī)物和水分完全蒸發(fā)后，使用刻蝕氣體去除基底表面的殘留物質(zhì)； 所述第一階段清潔具體包括如下步驟： S110、吹掃，使用惰性氣體作為清潔氣體，通過噴嘴移動(dòng)清潔，確保腔體內(nèi)無可見的灰塵和雜質(zhì)殘留，然后使用光學(xué)顯微鏡檢查腔體內(nèi)表面，確認(rèn)無殘留顆粒； S120、升溫，通過加熱元件逐漸升高溫度，從室溫升至1000℃，在整個(gè)過程中，應(yīng)確保溫度分布均勻； S130、烘烤，在溫度逐漸升高至1000℃時(shí)，然后保持恒溫烘烤，待基底表面的有機(jī)物和水分完全蒸發(fā)，表面呈現(xiàn)干燥狀態(tài)時(shí)，使用檢測裝置檢測基底表面，確認(rèn)無有機(jī)物和水分殘留； S140、穩(wěn)定，烘烤完成后，保持外延腔體內(nèi)的溫度和壓力穩(wěn)定，使用溫度和壓力監(jiān)測裝置監(jiān)測溫度和壓力，確保腔體內(nèi)的環(huán)境條件的穩(wěn)定； S150、刻蝕，使用刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕，并使用顯微鏡檢查基底表面，確認(rèn)無殘留物質(zhì)； 其中，刻蝕，使用氯化氫氣體進(jìn)行刻蝕，所述刻蝕步驟的時(shí)間為36s至53s，其中，整個(gè)刻蝕過程的時(shí)間為43s，去除基座表面的殘留物質(zhì)，刻蝕過程中的氣體流量為1000sccm，刻蝕速率為0.25μms，刻蝕溫度為1000℃； S200、第二階段涂覆，在基座表面生長一層厚度可控的硅層；先在腔體內(nèi)通入氣體去除表面殘留物質(zhì)，接著使用溫度和壓力檢測裝置監(jiān)測溫度和壓力，確保腔體內(nèi)溫度和壓力的穩(wěn)定，然后使用反應(yīng)氣體進(jìn)行涂覆，使基座表面生成一層厚度可控的硅層； 所述第二階段涂覆具體包括如下步驟： S210、吹掃，使用惰性氣體作為清潔氣體，通過噴嘴移動(dòng)清潔，確保腔體內(nèi)無可見的灰塵和雜質(zhì)殘留，然后使用光學(xué)顯微鏡檢查腔體內(nèi)表面，確認(rèn)無殘留顆粒； S220、穩(wěn)定，保持外延腔體內(nèi)的溫度和壓力穩(wěn)定，使用溫度和壓力監(jiān)測裝置監(jiān)測溫度和壓力，確保腔體內(nèi)的環(huán)境條件的穩(wěn)定； S230、涂覆，使用反應(yīng)氣體進(jìn)行涂覆，使基座表面生長一層厚度可控的硅層，并使用厚度測量裝置測量硅層的厚度，確保其均勻性和厚度控制； 其中，所述涂覆步驟中硅層的厚度為1-2μm；所述涂覆步驟中使用的反應(yīng)氣體為三氯氫硅和氫氣，用以在基座表面生長一層厚度可控的硅層；所述涂覆步驟中引入氬氣作為載流子，所述氬氣占總氣體流量的10%至30%；所述涂覆步驟的時(shí)間為45s至125s，其中，整個(gè)涂覆過程的時(shí)間為60s，用于阻擋基底表面的金屬污染物向外延層擴(kuò)散，三氯氫硅的流量為100-500sccm，氫氣的流量為1000-5000sccm，涂覆溫度為1000℃； S300、第三階段冷卻，確保腔體溫度在25℃；先在腔體內(nèi)通入氣體去除表面殘留物質(zhì)，然后將基底溫度降至25℃； S310、吹掃，使用惰性氣體作為清潔氣體，通過噴嘴移動(dòng)清潔，確保腔體內(nèi)無可見的灰塵和雜質(zhì)殘留，然后使用光學(xué)顯微鏡檢查腔體內(nèi)表面，確認(rèn)無殘留顆粒； S320、冷卻，先將基底溫度降至室溫，并使用溫度監(jiān)測裝置監(jiān)測溫度，以流量1000sccm的氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣氛，在5秒內(nèi)將基底溫度從1000℃降低，確保溫度穩(wěn)定至25℃。

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