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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請的專利測試結構及測試方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119725325B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411784879.3，技術領域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權測試結構及測試方法是由黃江海;王江紅;陶然設計研發(fā)完成，并于2024-12-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本測試結構及測試方法在說明書摘要公布了：一種測試結構及測試方法，其中測試結構包括：測試有源區(qū)；測試柵極結構；測試共享導電插塞，測試共享導電插塞與測試柵極結構和測試有源區(qū)均電連接；測試導電插塞，測試導電插塞位于測試柵極結構上；第一測試襯墊；第二測試襯墊；第三測試襯墊；第四測試襯墊；第五測試襯墊。設置測試導電插塞模擬存儲單元的真實環(huán)境，使得測試結構中的測試共享導電插塞的環(huán)境更接近真實靜態(tài)隨機存儲器中共享導電插塞的環(huán)境，使得測試結構的測試結果更加精確的反映半導體器件的性能。

本發(fā)明授權測試結構及測試方法在權利要求書中公布了：1.一種測試結構，其特征在于，用于對半導體結構進行測試，所述半導體結構包括： 有源區(qū)，所述有源區(qū)位于襯底內； 柵極結構，所述柵極結構位于襯底上； 共享導電插塞，所述共享導電插塞位于所述有源區(qū)與所述柵極結構上，所述共享導電插塞與所述有源區(qū)電連接，且所述共享導電插塞與所述柵極結構電連接； 導電插塞，所述導電插塞位于所述柵極結構上并且所述導電插塞與所述柵極結構電連接； 所述測試結構包括： 測試有源區(qū)，所述測試有源區(qū)與所述有源區(qū)經同一工藝過程形成，所述測試有源區(qū)包括第一部、第二部和連接部，所述連接部連接所述第一部的一端和第二部的一端； 測試柵極結構，所述測試柵極結構與所述柵極結構經同一工藝過程形成，所述測試柵極結構包括第一部、第二部和連接部，所述連接部連接所述第一部的一端和第二部的一端； 測試共享導電插塞，所述測試共享導電插塞與所述共享導電插塞經同一工藝過程形成，所述測試共享導電插塞與所述測試柵極結構的連接部和所述測試有源區(qū)的連接部均電連接； 測試導電插塞，所述測試導電插塞與所述導電插塞經同一工藝過程形成，所述測試導電插塞位于所述測試柵極結構上； 第一測試襯墊，所述第一測試襯墊與所述測試有源區(qū)的第二部的另一端電連接； 第二測試襯墊，所述第二測試襯墊與所述測試柵極結構的第二部的另一端電連接； 第三測試襯墊，所述第三測試襯墊與所述測試共享導電插塞電連接； 第四測試襯墊，所述第四測試襯墊與所述測試有源區(qū)的第一部的另一端電連接； 第五測試襯墊，所述第五測試襯墊與與所述測試柵極結構的第一部的另一端電連接。

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