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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢新芯集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119967819B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510032017.3，技術領域涉及：H10B69/00；該發(fā)明授權半導體器件及其制作方法是由蔡建祥;李少劍設計研發(fā)完成，并于2025-01-08向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制作方法。所述半導體器件中，具有第一閾值電壓的第一HKMG晶體管形成第一存儲單元，具有第二閾值電壓的第二HKMG晶體管形成第二存儲單元，利用所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓的差異，所述第一存儲單元和所述第二存儲單元能夠形成不同的導通狀態(tài)，實現(xiàn)01態(tài)讀出。第一HKMG晶體管和第二HKMG晶體管的制作與HKMG工藝兼容，可與HKMG工藝平臺的其它器件一起形成，有助于提升半導體器件的集成密度和降低工藝難度，而且，所述第一HKMG晶體管和所述第二HKMG晶體管未采用浮柵型柵極結構，操作電壓較低，可以與低壓器件如邏輯器件工藝兼容。

本發(fā)明授權半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一導電類型摻雜區(qū)； 至少一具有第一閾值電壓的第一HKMG晶體管，形成于相應的所述第一導電類型摻雜區(qū)表面，所述第一HKMG晶體管的柵極和源漏區(qū)為第二導電類型；以及 至少一具有第二閾值電壓的第二HKMG晶體管，形成于相應的所述第一導電類型摻雜區(qū)表面，所述第二HKMG晶體管的柵極具有第一導電類型且源漏區(qū)具有第二導電類型； 其中，所述第一HKMG晶體管形成第一存儲單元，所述第二HKMG晶體管形成第二存儲單元，所述第一存儲單元和所述第二存儲單元根據(jù)所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓的差異形成不同導通狀態(tài)，實現(xiàn)01態(tài)讀出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人武漢新芯集成電路股份有限公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。