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龍圖騰網獲悉廣東工業大學申請的專利無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法及其制備的硅晶片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120174379B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510303767.X，技術領域涉及：C23C28/02；該發明授權無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法及其制備的硅晶片是由黃光漢;劉健濤;苗文杰;廖嘉威;劉爽;崔成強;張昱;楊冠南設計研發完成，并于2025-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法及其制備的硅晶片在說明書摘要公布了：本發明公開了一種無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法及其制備的硅晶片，加工方法包括預處理、第一次激光誘導、第二次激光誘導和電沉積，所述加工方法進行了兩級激光誘導和一次電沉積；由于通過激光誘導，無需使用掩膜，避免去除掩膜的過程對硅納米結構陣列產生破壞和污染；而且，可實現了硅晶片表面微結構的仿生圖形化。采用上述方法所加工的硅晶片，由于無掩膜樹狀硅納米結構陣列中形成了微通道，可沿微通道壁面進行高效的毛細傳質；而且，樹狀硅納米結構具有較大的比表面積，可沿微通道垂直方向進行高效蒸發傳熱，能夠提升傳熱極限。

本發明授權無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法及其制備的硅晶片在權利要求書中公布了：1.一種無掩膜樹狀硅納米結構陣列的加工方法，其特征在于，包括以下步驟： 預處理：在硅晶片的表面沉積金屬銅，使硅基材的表面形成銅層，再對硅基材的表面的銅層進行鈍化處理，生成絕緣鈍化膜； 第一次激光誘導：使用第一激光束在絕緣鈍化膜的表面進行第一次激光誘導，除去指定區域上的絕緣鈍化膜，使絕緣鈍化膜脫落，并在銅層的表面形成一級針狀凸起結構； 第二次激光誘導：使用第二激光束在一級針狀凸起結構的表面進行第二次激光誘導，在一級針狀凸起結構上形成二級丘狀凸起結構，使硅基材的表面形成雙級針狀種子層； 電沉積：對雙級針狀種子層進行可控參數電沉積，使雙級針狀種子層沉積生長出樹狀微結構，得到含有無掩膜樹狀硅納米結構陣列的硅晶片； 在電沉積的步驟中，進行可控參數電沉積處理時，初始電流密度和沉積時間滿足ft函數： ft=Kt+b 其中，ft為電流密度，電流斜率K為0.003～0.2Acm2·s，沉積時間t為30～200s的，初始電流密度b為0.06～0.2Acm2。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東工業大學，其通訊地址為：510062 廣東省廣州市越秀區東風東路729號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。