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龍圖騰網(wǎng)獲悉長飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120264806B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510741988.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛是由羅成志;唐宇坤設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛在說明書摘要公布了：本發(fā)明實施例公開半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體本體，半導(dǎo)體本體包括第一表面、第二表面、阱區(qū)和第一區(qū)域；第一表面設(shè)有柵極溝槽和源極溝槽；第一絕緣層位于柵極溝槽的底面和側(cè)壁；溝槽柵極位于柵極溝槽內(nèi)第一絕緣層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體本體的一側(cè)；源極溝槽結(jié)構(gòu)包括位于源極溝槽內(nèi)的填充層；層間絕緣層覆蓋溝槽柵極和源極溝槽結(jié)構(gòu)，且設(shè)置有第一通孔和第二通孔；源極經(jīng)過第一通孔與第一區(qū)域接觸，經(jīng)過第二通孔與填充層接觸；漏極位于第二表面。本發(fā)明實施例可以實現(xiàn)源極溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁無間隙，且保證填充層與源極是同一電位，提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體本體，包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；所述半導(dǎo)體本體還包括阱區(qū)和第一區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置為第一導(dǎo)電類型且位于所述第一表面，所述阱區(qū)設(shè)置為第二導(dǎo)電類型且位于所述第一區(qū)域遠(yuǎn)離所述第一表面的一側(cè)；所述第一表面設(shè)置有柵極溝槽，所述柵極溝槽從所述第一表面延伸至所述半導(dǎo)體本體中；所述第一表面還設(shè)置有源極溝槽，所述源極溝槽從所述第一表面延伸至所述半導(dǎo)體本體中；所述半導(dǎo)體本體還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述柵極溝槽的底面和側(cè)壁； 溝槽柵極，位于所述柵極溝槽內(nèi)所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體本體的一側(cè)；所述第一絕緣層用于絕緣所述半導(dǎo)體本體和所述溝槽柵極； 源極溝槽結(jié)構(gòu)，包括填充層，所述填充層位于所述源極溝槽內(nèi)； 層間絕緣層，位于所述第一表面且覆蓋所述溝槽柵極和所述源極溝槽結(jié)構(gòu)；所述層間絕緣層設(shè)置有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露位于所述第一表面的至少部分所述第一區(qū)域；所述第二通孔暴露部分所述填充層； 源極，位于所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述第一表面的一側(cè)，經(jīng)過所述第一通孔與所述第一區(qū)域接觸，經(jīng)過所述第二通孔與所述填充層接觸，使得所述源極與所述填充層是同一電位； 漏極，位于所述第二表面。

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