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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120528220B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202511009278.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/088；該發(fā)明授權(quán)一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)是由馬奕勉;馬延溢設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及SiC功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)。其包括至少兩個(gè)SiC功率器件，所述SiC功率器件并聯(lián)設(shè)置；一驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)每一個(gè)SiC功率器件的門級(jí)均連接有一開通路徑和一關(guān)斷路徑。本發(fā)明通過對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路通過差異化調(diào)節(jié)各器件的門極電阻，抵消Vgs?th差異導(dǎo)致的開關(guān)時(shí)間差，從而減少或補(bǔ)償由Vgs?th差異造成的開通和關(guān)斷時(shí)間差，解決因Vgs?th差異較大導(dǎo)致發(fā)生熱失控的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SiC功率器件的多層電路保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括： 至少兩個(gè)SiC功率器件，所述SiC功率器件并聯(lián)設(shè)置； 一驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)每一個(gè)SiC功率器件的門級(jí)均連接有一開通路徑和一關(guān)斷路徑，其特征在于，所述開通路徑上設(shè)置一開通門極電阻，所述關(guān)斷路徑上設(shè)置一關(guān)斷門極電阻； 還包括： 第一SiC功率器件，其為所述SiC功率器件中的一個(gè)； 第二SiC功率器件，其為所述SiC功率器件中的另一個(gè)； 開通時(shí)間差，其為第一SiC功率器件開通所需時(shí)間與第二SiC功率器件開通所需時(shí)間的差值，所述開通時(shí)間差為正值； 關(guān)斷時(shí)間差，其為第一SiC功率器件關(guān)斷所需時(shí)間與第二SiC功率器件關(guān)斷所需時(shí)間的差值，所述關(guān)斷時(shí)間差為負(fù)值； 開通延遲時(shí)間，其為所述開通門極電阻延遲第二SiC功率器件開通的時(shí)間； 關(guān)斷縮短時(shí)間，其為所述關(guān)斷門極電阻縮短第二SiC功率器件關(guān)斷的時(shí)間； 其中，所述開通時(shí)間差等于開通延遲時(shí)間，所述關(guān)斷時(shí)間差等于關(guān)斷縮短時(shí)間。

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