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龍圖騰網獲悉燦芯半導體(成都)有限公司申請的專利一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120523280B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511022923.1，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路是由宋嘉勛;岳慶華;鄭銳設計研發完成，并于2025-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路，屬于啟動電路設計技術領域，該種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路包括PMOS管P1?P11，NMOS管N1?N8，電阻R1?R4，穩壓電容C1、C2和雙極結型pnp三極管Q1?Q3。本發明的一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路，在BGR正常工作時關閉，僅消耗極小的功耗，且不止在起電階段工作，降低了風險性。

本發明授權一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路在權利要求書中公布了：1.一種應用于超低功耗BGR電路的啟動電路，其特征在于，該啟動電路包括PMOS管P1-P11，NMOS管N1-N8，電阻R1-R4，穩壓電容C1、C2和雙極結型pnp三極管Q1-Q3； 該啟動電路中，PMOS管P1的柵極與PMOS管P2，P3，P4，P5的柵極、PMOS管P9的漏極、NMOS管N6的漏極，以及穩壓電容C1的負極相連；PMOS管P1的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與雙極結型pnp三極管Q1的發射極、PMOS管P10的柵極相連；穩壓電容C1的正極與電源電壓AVDD相連；PMOS管P2的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與電阻R1的正極、PMOS管P11的柵極相連；電阻R1的負極與雙極結型pnp三極管Q2的發射極相連；PMOS管P3的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與電阻R2的正極、穩壓電容C2的正極相連；穩壓電容C2的負極與地GND相連；電阻R2的負極與電阻R3的正極相連；電阻R3的負極與雙極結型pnp三極管Q3的發射極相連；PMOS管P4的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與PMOS管P6的柵極、PMOS管P7的柵極，以及NMOS管N1的漏極相連；NMOS管N1的源極與NMOS管N2的漏極相連；NMOS管N2的源極與NMOS管N3的漏極相連；NMOS管N3的源極與NMOS管N4的漏極相連；NMOS管N4的源極與電阻R4的正極相連；電阻R4的負極與地GND相連；PMOS管P6的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與PMOS管P7的源極相連；PMOS管P7的漏極與NMOS管N8的柵極與漏極、NMOS管N6的柵極、PMOS管P11的漏極相連；PMOS管P8的源極與電源電壓AVDD相連，PMOS管P8的柵極與漏極與PMOS管P9的柵極、NMOS管N5的漏極相連；PMOS管P9的源極與電源電壓AVDD相連；PMOS管P5的源極與電源電壓AVDD相連，漏極與PMOS管P10的源極和襯底、PMOS管P11的源極和襯底相連；PMOS管P10的漏極與NMOS管N7的漏極與柵極、NMOS管N5的柵極相連；所述NMOS管N5，N6，N7和N8的源極與地GND相連； 所述NMOS管N1，N2，N3和N4的柵極接地GND，且皆能正常開啟提供高阻；同時，NMOS管N1，N2，N3和N4之間串聯，用以提高總柵長來增大阻值； 所述雙極結型pnp三極管Q1、Q2和Q3的集電極和基極均與地GND相連； 所述PMOS管P4的漏極與PMOS管P6的柵極、PMOS管P7的柵極，以及NMOS管N1的漏極相連，在電源AVDD上電時將NMOS管N6柵極電壓迅速拉高的同時拉低節點VBAIS處的電壓，從而快速啟動BGR以減小振蕩風險。

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