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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利氮化鎵功率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116569339B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080107570.4，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權氮化鎵功率晶體管是由吉爾伯托·庫拉托拉設計研發完成，并于2020-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本氮化鎵功率晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及一種氮化鎵GalliumNitride，GaN功率晶體管100，包括：緩沖層110；阻擋層111，沉積在所述緩沖層110上，其中，柵極區112形成于所述阻擋層111的頂部；p型摻雜氮化鎵GalliumNitride，GaN層113，沉積在所述柵極區112處的所述阻擋層111上；金屬柵極層114，沉積在所述p型摻雜GaN層113的頂部，其中，所述金屬柵極層114與所述p型摻雜GaN層113接觸以形成肖特基勢壘115；其中，所述p型摻雜GaN層113的厚度、所述金屬柵極層114的金屬類型和所述p型摻雜GaN層113的p型摻雜濃度基于pGaN肖特基柵極耗盡區厚度相對于p型摻雜濃度和柵極金屬類型的已知關系。

本發明授權氮化鎵功率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵功率晶體管100，其特征在于，包括： 緩沖層110； 阻擋層111，沉積在所述緩沖層110上，其中，柵極區112形成于所述阻擋層111的頂部； p型摻雜氮化鎵層113，沉積在所述柵極區112處的所述阻擋層111上； 金屬柵極層114，沉積在所述p型摻雜GaN層113的頂部，其中，所述金屬柵極層114與所述p型摻雜GaN層113接觸以形成肖特基勢壘115； 其中，所述p型摻雜GaN層113的厚度、所述金屬柵極層114的金屬類型和所述p型摻雜GaN層113的p型摻雜濃度基于pGaN肖特基柵極耗盡區厚度401相對于p型摻雜濃度402和柵極金屬類型的已知關系400； 所述p型摻雜GaN層113的厚度小于65納米； 所述金屬柵極層114由下列金屬中的一種制成：Al、Ti、TiN、Au、Pd、Ni、W或其以堆疊方式形成的任意組合； 所述p型摻雜GaN層113的p型摻雜濃度位于1e18cm-3至1e19cm-3范圍內。

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