武漢飛恩微電子有限公司王小平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉武漢飛恩微電子有限公司申請的專利一種芯體結構以及壓力傳感器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113029430B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110220044.5,技術領域涉及:G01L13/02;該發明授權一種芯體結構以及壓力傳感器是由王小平;曹萬;王紅明;李凡亮;張超軍;施濤設計研發完成,并于2021-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種芯體結構以及壓力傳感器在說明書摘要公布了:本發明公開了一種芯體結構以及壓力傳感器,該芯體結構包括燒結座、具有預壓結構的第一金屬隔膜和第二金屬隔膜以及壓力芯片,所述燒結座沿第一方向間隔設有開口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室,所述燒結座內形成有連接通道,所述第二腔室在與所述連接通道的連通處形成有連接口,所述第一金屬隔膜和所述第二金屬隔膜分別安裝在所述第一腔室和所述第二腔室的內側壁,以將所述第一腔室和所述第二腔室分別隔成沿第二方向上的上腔和下腔,所述第一腔室的下腔和所述第二腔室的下腔分別用于接入第一流體壓力和第二流體壓力,壓力芯片設于所述連接口并封接所述連接口。
本發明授權一種芯體結構以及壓力傳感器在權利要求書中公布了:1.一種芯體結構,其特征在于,包括: 燒結座,所述燒結座沿第一方向間隔設有開口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室,所述燒結座內形成有直接連通所述第一腔室和所述第二腔室的連接通道,所述第二腔室在與所述連接通道的連通處形成有連接口;所述第一腔室和所述第二腔室均整體上位于所述燒結座的開口一側; 具有預壓結構的第一金屬隔膜和第二金屬隔膜,所述第一金屬隔膜和所述第二金屬隔膜分別安裝在所述第一腔室和所述第二腔室的內側壁,以將所述第一腔室和所述第二腔室分別隔成沿第二方向上的上腔和下腔,所述第一腔室的下腔和所述第二腔室的下腔分別用于接入第一流體壓力和第二流體壓力;所述連接口在第二方向上正對地朝向所述第二腔室和所述第二金屬隔膜; 壓力芯片,設于所述連接口并封接所述連接口; 其中,所述連接通道與所述第一腔室的上腔連通并形成第一通道,所述第一通道、所述第二腔室的上腔分別填充有流體介質,以分別與所述第一金屬隔膜、所述第二金屬隔膜接合; 所述芯體結構還包括第一壓接部和第二壓接部,所述第一壓接部和所述第二壓接部之間壓設有所述第一金屬隔膜,所述第一壓接部、所述第二壓接部以及第一金屬隔膜固定設置,形成第一隔膜組件,所述第一隔膜組件安裝在所述第一腔室的內壁,所述第二壓接部位于所述第一金屬隔膜靠近所述燒結座的一側;和或,所述芯體結構還包括第三壓接部和第四壓接部,所述第三壓接部和所述第四壓接部之間壓設有所述第二金屬隔膜,所述第三壓接部、所述第四壓接部以及第二金屬隔膜固定設置,形成第二隔膜組件,所述第二隔膜組件安裝在所述第二腔室的內壁,所述第四壓接部位于所述第二金屬隔膜靠近所述燒結座的一側; 所述第一隔膜組件焊接在所述第一腔室的內壁;所述第二隔膜組件焊接在所述第二腔室的內壁; 其中,所述連接口位于所述第四壓接部的上側,所述第四壓接部沿所述第二方向貫設有第二連通孔,所述第二連通孔為靠近所述連接口的部分相對擴大的階梯孔。
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