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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113345830B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110224626.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/687；該發(fā)明授權(quán)基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法是由松浦伸;加藤健一設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法。基片支承臺包括：載置基片的基片載置面；環(huán)狀部件載置面，其載置以包圍保持于基片載置面的基片的方式配置的環(huán)狀部件；三個以上的升降部件，其構(gòu)成為能夠從環(huán)狀部件載置面伸出，并以可調(diào)節(jié)從環(huán)狀部件載置面起的伸出量的方式升降；和使升降部件升降的升降機構(gòu)，在環(huán)狀部件的底面的與各個升降部件對應(yīng)的位置，設(shè)有由向上方凹陷的凹面形成的凹部，俯視時，凹部比向環(huán)狀部件載置面的上方輸送環(huán)狀部件的輸送精度大，且比升降部件的上端部大，升降部件的上端部形成為隨著去往上方而逐漸變細(xì)的半球狀，形成凹部的凹面與升降部件的上端部的形成半球狀的凸面相比曲率小。

本發(fā)明授權(quán)基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基片支承臺，其特征在于，包括： 載置基片的基片載置面； 環(huán)狀部件載置面，其載置以包圍保持于所述基片載置面的基片的方式配置的環(huán)狀部件； 三個以上的升降部件，其構(gòu)成為能夠從所述環(huán)狀部件載置面伸出，并以可調(diào)節(jié)從所述環(huán)狀部件載置面起的伸出量的方式升降；和 使所述升降部件升降的升降機構(gòu)， 在所述環(huán)狀部件的底面的與各個所述升降部件對應(yīng)的位置，設(shè)有由向上方凹陷的凹面形成的凹部， 俯視時，所述凹部比向所述環(huán)狀部件載置面的上方輸送所述環(huán)狀部件的輸送精度大，且比所述升降部件的上端部大， 所述升降部件的上端部形成為隨著去往上方而逐漸變細(xì)的半球狀， 形成所述凹部的所述凹面與所述升降部件的上端部的形成所述半球狀的凸面相比曲率小。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。