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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113314665B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110225664.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/80；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其制造方法是由樸臺(tái)鎮(zhèn);樸哲權(quán);金昭煐;金恩娥;金孝燮;樸素賢;韓成熙;黃有商設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，包括：襯底中間隔開(kāi)的第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；器件隔離圖案，其位于第一雜質(zhì)區(qū)與第二雜質(zhì)區(qū)之間；位線接觸件，其位于第一雜質(zhì)區(qū)上；存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸件，其位于第二雜質(zhì)區(qū)上；以及介電圖案，其位于位線接觸件與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸件之間。器件隔離圖案的側(cè)壁的上部具有第一傾角，器件隔離圖案的側(cè)壁的下部具有與第一傾角不同的第二傾角。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，包括： 襯底中間隔開(kāi)的第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)； 器件隔離圖案，其位于所述第一雜質(zhì)區(qū)與所述第二雜質(zhì)區(qū)之間； 位線接觸件，其位于所述第一雜質(zhì)區(qū)上； 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸件，其位于所述第二雜質(zhì)區(qū)上； 介電圖案，其位于所述位線接觸件與所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸件之間；以及 間隔件，其位于所述介電圖案與所述器件隔離圖案之間， 其中，所述器件隔離圖案的側(cè)壁的上部具有第一傾角，所述器件隔離圖案的側(cè)壁的下部具有與所述第一傾角不同的第二傾角， 其中，各介電圖案分別設(shè)置在所述第一雜質(zhì)區(qū)與所述第二雜質(zhì)區(qū)之間，并且具有位于所述第一雜質(zhì)區(qū)的上表面下方的下表面，并且 其中，所述間隔件的最下表面在所述第一雜質(zhì)區(qū)的上表面下方。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。